车载碳化硅项目可行性分析报告.docx

泓域咨询/车载碳化硅项目可行性分析报告  车载碳化硅项目 可行性分析报告 xxx有限公司  报告说明 与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。据东芝半导，通过更改2kVA单相逆变器产品的开关元件（将IGBT替换为SiCMOSFET），额定运行期间每个器件的损耗降低了约41%。这主要归功于SiCMOSFET卓越的开关能力。 根据谨慎财务估算，项目总投资46060.83万元