半导体光电子学第章半导体发光二极管.pptVIP

6.1 概述 半导体发光二极管和半导体激光器在工作原理上的根本区别在于前者是利用注入有源区的载流子自发辐射复合而发出光子，而后者则是受激辐射复合发光的。 用于光纤通信的发光二极管从材料到器件的异质结构都与半导体激光器没有很大差别，因而前面1～3章的一些基本理论对半导体发光二极管也是适用的。 半导体激光器与发光二极管在结构上的主要差别是前者有光学谐振腔，使复合所产生的光子在腔内振荡和放大；而后者则没有谐振腔。 正是由于它们在发光机理和上述这一基本结构上存在差别，而使它们在主要性能上存在明显差别。 例如，半导体发光二极管不象激光器那样存在阈值特性，输出功率与注入电流之间呈线性关系；因为自发发射的随机性，致使发光管的光谱宽度比激光器高几个数量级；光束发散角也很大，因而与光纤藕合效率要比半导体激光器的情况低得多；输出的光功率也要比半导体激光器低得多． 第一页，共二十八页。 尽管与半导体激光器相比，半导体发光二极管有许多不足之处，但它却在中、短距离光纤通信中得到了广泛的应用。弥补了半导体激光器的某些不足。这是由它的以下特点所决定的： 1．不存在阈值特性，P-I线性好，因而有利于实现信号无畸变的调制，这在高速模拟调制中是特别重要的； 2．虽然半导体发光二极管的光相干性很不好，但正因为如此，避免了半导体激光器容易产生模分配噪声和对来自于光纤传输线路中反射光较灵敏的缺点； 3．工作稳定，输出功率随温度的变化较小，不需要精确的温度控制，因而驱动电源很简单； 4 ．由于不存在象半导体激光器那样的腔而退化，工作寿命可达109小时； 5．成品率高，价格便宜。 此外，由于其光谱线宽很宽(30nm)，这对光纤通信中波分复用的应用将带来好处。 第二页，共二十八页。 半导体发光二极管可以分为三种型式: 表面发射(SE); 端发射或边发射(EE); 超荧光或超辐射(SL). 前两种是从发光的部位来区别的，而超辐射发光二极管则是根据发光特性来区分的。 图6.1-1表示半导体激光器、表面和端面发射发光二极管、超辐射发光二极管P-I特性的比较。 第三页，共二十八页。 6.2 LED的结构 和半导体激光器一样，短波长(0.82~0.85?m)和长波长(l.3?m，1.55?m)的发光二极管分别使用GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP双异质结构。用这些直接带隙跃迁材料能保证在室温下给出较高的内量子效率(?50%)，发射波长同样由材料的禁带宽度所决定。 一、边发光二极管 二、面发光二极管 三、超辐射发光二极管 第四页，共二十八页。 一、边发光二极管 边发光二极管和通常的电极条形双异质结构基本相同，一般是在n型衬底上用外延的方法相继生长N型限制层-有源层-P型限制层-P+盖帽层。为了防止在有源区产生受激发射，需要设法消除光子可能形成的谐振。 主要有两种方法。 第五页，共二十八页。 方法之一是将接触电极条控制在适当的长度范围，使电极条距某一端面形成非泵浦(注入)区或吸收区，使有源区中产生的光子在到达该端面之前已被吸收掉，光子在沿纵向运动中产生净吸收而不产生净增益。 以如图6.2-1所示的长波长1.3?m“v”槽边发光二极管为例来说明这种结构的特点。 在n型InP衬底上相继用液相外廷形成双异质结后，再生长n型阻挡层，“v”槽被刻蚀到异质结的上限制层。再在其上生长长为La、宽为W的导电接触条，因而在有源条与后端面之间有一长为LM的非泵浦区。一般取W=10~30?m，La=200~ 245?m，LM=250?m。 第六页，共二十八页。 为了更可靠的防止激射和增加输出的斜率效率，在前端面(输出而)镀以增透膜是很有效的。用薄而窄的有源条，有利于在较低的住入电流下获得较高的载流子浓度；同时有源层内的部分光进入限制层，有利于改善在垂直于结平而方向上光束的方向性，从而有利于提高输出功率和光纤与发光管之间的藕合效率。窄的条宽有利子提高发光管的亮度。 第七页，共二十八页。 防止发光管产生受激发射的另一种有效方法是将后端面弄斜，以破坏由解理面形成的法布里-拍罗腔，如图6.2-2所示。其基本结构与V沟衬底埋层异质结激光器相同，前端面镀增透膜，后端面腐蚀成斜面。这种结构的特点是更能可靠地防止受激发射，与前面采取非泵浦区结构的边发光管相比，更能利用有源层的长度来产生自发辐射，获得较高输出功率。 第八页，共二十八页。 二、面发光二极管 正面发光二极管的结构如图6.2-5所示。它实际上是一个标准的异质结二极管，只是它的有源区由氧化物(如SiO2)隔离的金属电极接触条所限定。为防止衬底对光的吸收，同时为了有效地用光纤将光从有源区耦合出来，用腐蚀的方法将衬底开一个阱，阱底直至与衬底相邻的限制层。因为顶层电极接触是一直径较小的圆形金属层，能保证从电极至阱底形成一柱