MOS器件物理基础.ppt

SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 亚阈值导电性[Gray] Vt 为阈值电压 VT 为热电压 n：由工艺决定 It：VGS=Vt、W/L=1、VDS?VT时的漏电流 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 用亚阈值特性确定阈值电压 如何测量确定阈值电压？ 测深线性区的MOS管的导通电阻RON随VGS的变化 VG IDS VD VS VGS IDS/VDS SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 用亚阈值特性确定阈值电压 粗略估算方法 ID/W=1?A/?m所对应的VGS为VTH ，此时MOS管工作在亚阈区附近。为什么？ 在ID一定时，W逐渐增大会导致VGS逐渐接近VTH ；再增大时会进入亚阈值区 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 亚阈值区时的跨导 强反型时的跨导: 在ID一定时，亚阈值区的跨导比强反型区时大，有利于实现较大放大倍数，且功耗极低 但单位沟道宽度的源漏电流ID/W小，只能用于极低速电路 双极晶体管： SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 电压限制 栅击穿 不可恢复的损伤 PN结击穿 源漏穿通 热载流子效应 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS器件版图 根据电特性要求和工艺设计规则设计 斜视图（bird’s eye ，angled view） 俯视图（vertical view） 栅接触孔为什么开在沟道区外？ AIC设计希望源漏PN结寄生电容小 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS器件版图 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS管中的电容 分析高频交流特性时必须考虑电容影响 C3、C4：覆盖电容；由于边缘电力线的影响，不能简单地等于WLDCOX C5、C6：结电容；=底电容+侧壁电容 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS管中的电容 寄生电容往往随偏置电压的变化而变化 EDA工具在寄生参数提取时会自动提取每个节点精确的寄生电容值 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS管中的电容－低电容版图 折叠结构的版图漏端寄生电容小 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 * MOS集成电路第2章 MOS器件物理基础 MOS管简化模型 简化模型——开关 由VG控制的一个开关 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS管的结构 提供载流子的端口为源，收集载流子的端口为漏 源漏在物理结构上是完全对称的，靠什么区分开？ Bulk（body） 最重要的工作区域？ 受VG控制的沟道区 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS管的结构 衬底电压要保证源漏PN结反偏，对阈值电压有影响 同一衬底上的NMOS和PMOS管（体端不同） 独享一个阱的MOS管在AIC设计中有特殊应用 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 MOS管的符号 四端器件 省掉B端 在Cadence analogLib库中，当B、S端短接时 AIC设计中一般应采用该符号？ 需明确体端连接 ？ 电流方向 数字电路用 只需区别开MOS管类型即可 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 沟道电荷的产生 当VG大到一定程度时，表面势使电子从源流向沟道区 VTH定义为表面电子浓度等于衬底多子浓度时的VG SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 阈值电压 栅与衬底功函数差 工艺确定后，VTH0就固定了，设计者无法改变 常通过沟道注入把VTH0调节到合适值 0 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 I/V特性－沟道随VDS的变化 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 I/V特性—推导I(VDS,VGS) SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 I/V特性—推导I(VDS,VGS) SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 I/V特性—线性区 过驱动电压 三极管区 欧姆区 线性区 SUT 电子科学与技术系 MOS集成电路 I/V特性—当VDS2(VGS-VTH)时？ 等效为一个线性电阻 深三极管区 在AIC设计中会用到 SUT