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会计学; 不同FET类型对偏置电压的要求;一、场效应管的直流偏置和静态工作点计算; 分压式自偏压电路; 静态工作点的计算;【例1.3.1】;【例1.3.2】;由转移特性得:开启电压VT=2V；
当VGS=2VT=4V时，ID=IDO=1.9mA。;【例1.3.3】;∴MOS工作在放大区，假设正确。;二、场效应管线性与开关应用举例;BCQD段：VT＜vGS＜6V，FET工作在恒流区（放大区）内。;EFG段：vGS＞6V ，FET工作在可变电阻区，vO≈0 ;当vGS=9V时，工作点移至F点，MOS管工作于可变电阻区，vDS=0.2V，相当于开关接通；
当vGS=0V时，工作点移至A，MOS管截止，vDS=12V, iD=0,相当于开关断开。; 用作压控电阻;【例1.3.4】
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