集成电路的可靠性---芯片级别要求.pdfVIP

集成电路的可靠性芯⽚级别要求 可靠性（Reliability）是对产品耐久⼒的测量, 我们主要典型的IC产品的⽣命周期可以⽤⼀条浴缸曲线 （Bathtub Curve）来表⽰。 如上图⽰意, 集成电路的失效原因⼤致分为三个阶段： Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）, 这个阶段产品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC设 计和⽣产过程中的缺陷； Region (II) 被称为使⽤期（Useful life period ）, 这个阶段产品的失效率保持稳定，失效的原因往往是随机 的，⽐如温度变化等等； Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）这个阶段产品的失效率会快速升⾼，失效的原因就是产品 的长期使⽤所造成的⽼化等。 •军⼯级器件⽼化筛选 •元器件寿命试验 •ESD等级、Latch_up测试评价 •⾼低温性能分析试验 •集成电路微缺陷分析 •封装缺陷⽆损检测及分析 •电迁移、热载流⼦评价分析 根据试验等级分为如下⼏类： ⼀、使⽤寿命测试项⽬（Life test items） EFR ：早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ） ⽬的：评估⼯艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天⽣原因失效的产品 测试条件：在特定时间内动态提升温度和电压对产品进⾏测试 失效机制：材料或⼯艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，⾦属刻镀，离⼦玷污等由于⽣产造成的失效 参考标准： JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 HTOL/ LTOL ：⾼/低温操作⽣命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ） ⽬的：评估器件在超热和超电压情况下⼀段时间的耐久⼒ 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电⼦迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离⼦玷污等 参考数据： 125℃条件下1000⼩时测试通过IC可以保证持续使⽤4年，2000⼩时测试持续使⽤8年；150℃ 1000⼩时测 试通过保证使⽤8年，2000⼩时保证使⽤28年 参考标准： MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 ⼆、环境测试项⽬（Environmental test items） PRE-CON ：预处理测试（ Precondition Test ） ⽬的：模拟IC在使⽤之前在⼀定湿度，温度条件下存储的耐久⼒，也就是IC从⽣产到使⽤之间存储的可 靠性 THB ：加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test ） ⽬的：评估IC产品在⾼温，⾼湿，偏压条件下对湿⽓的抵抗能⼒，加速其失效进程 测试条件：85℃ ，85%RH, 1.1 VCC, Static bias 失效机制：电解腐蚀 参考标准： JESD22-A101-D EIAJED- 4701-D122 ⾼加速温湿度及偏压测试（HAST: Highly Accelerated Stress Test ） ⽬的：评估IC产品在偏压下⾼温，⾼湿，⾼⽓压条件下对湿度的抵抗能⼒，加速其失效过程 测试条件：130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias ，2.3 atm 失效机制：电离腐蚀，封装密封性 参考标准： JESD22-A110 PCT ：⾼压蒸煮试验 Pressure Cook Test (Autoclave Test) ⽬的：评估IC产品在⾼温，⾼湿，⾼⽓压条件下对湿度的抵抗能⼒，加速其失效过程 测试条件：130℃， 85%RH, Static bias ，15PSIG （2 atm） 测试条件：130℃， 85%RH, Static bias ，15PSIG （2 atm） 失效机制：化学⾦属腐蚀，封装密封性 参考标准： JESD22-A102 EIAJED- 4701-B123 *HAST与THB的区别在于温度更⾼，并且考虑到压⼒因素，实验时间可以缩短，⽽PCT则不加偏压，但 湿度增⼤。TCT ：⾼低温循环试验（Temperature Cycling Test ） ⽬的：评估IC产品中具有不同热膨胀系数的⾦属之间的界⾯的接触良率。⽅法是通过循环流动的空⽓从 ⾼温到低温重复变化 测试条件： Condition B:-55℃ to 125℃ Condition C: -65℃ to 150℃ 失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界⾯的分层 参考标准