第九章电力半导体器件.pptVIP

1-* 第五节 功率场效应晶体管 功率MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?功率MOSFET主要是N沟道增强型。 一、功率MOSFET的结构和工作原理 第六十二页，共九十八页。 1-* 第五节 功率场效应晶体管 功率MOSFET的结构 是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 图9.5-1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 第六十三页，共九十八页。 1-* 第五节 功率场效应晶体管 小功率MOS管是横向导电器件。 功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 功率MOSFET的结构 第六十四页，共九十八页。 1-* 第五节 功率场效应晶体管 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流