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光纤与波导低损耗传输模场转换技术研究 摘要??针对光纤与波导低损耗传输模场转换问题，本文研究低损耗波导-光纤模场转换的端面耦合器，揭示其实现高效模场控制和转换的关键机制，并对复合波导对光纤端口的失配问题提出解决方法。同时，理论上结合限制条件渐变的波导模型，研究本征模场如何更好的适配光纤波导进而实现低损耗的模场转换技术，突破当前端面耦合器的损耗较高的瓶颈。 主题词低损耗、传输、模场转换 1引言 目前，在雷达、电子对抗等电子信息装备中，微波信号调制设备的信息处理速度、多信号加载、调制带宽、耗能以及弱信号分辨效能是影响其雷达、电子对抗设备主要性能指标的关键因素[1-2]。传统的电光调制器由于采用经典的波导结构，需要较大的波导尺寸提升其调制效率，不利于电光调制芯片的集成和封装，也限制了调制带宽与阵列信号的调制加载能力的进一步提升[3]。因此，本文旨在解决上述科学与技术问题，提出光纤与波导低损耗传输模场转换技术，为光纤与波导低损耗传输模场转换提供有力的技术支撑。 2端面耦合器模型构建 铌酸锂波导端面耦合器损耗主要来源为端面耦合器横截面结构与光纤模场的耦合损耗与小尺寸波导模式到端面结构模式的转换损耗。因此，本文拟构建限制条件下的渐变复合波导-光纤的模型如图1所示。 图1.波导与光纤端面耦合结构示意图 3模型仿真验证与分析 3.1?常规端面耦合仿真分析 波导模场和端面耦合器的模场不匹配导致了光纤与芯片耦合时产生较大的耦合损耗，传统处理技术是采用倒锥波导实现模式的扩展。倒锥波导的波导宽度逐渐降低，当波导宽度小于波长的一半时，波导无法完全限制光场，大部分光场以消逝波的形式存在于包层中，从而扩大了模场尺寸。仿真结果如图2所示，其结果可以看出在单模条件下，光场被很好地限制在波导结构内，如图 2 (a)，当波导宽度过小时，模场无法完全限制在波导内，从而扩大了模场尺寸，如图 2(b)所示。 ????图2(a)单模波导模场(b)常规端面耦合器的模场分布 3.3新型端面耦合技术的仿真结果 首先为了对比本文所将采用的方案（图3）与传统的方案（图4）带来的性能提升。对端面耦合器参数进行如下设置：下包层厚度5 μm，波导高度300 nm。结合现阶段的工艺条件，图 3方案的上包层设为8 μm，7 μm，5 μm，3.5 μm以确定其厚度为8 μm时效果较好，尖端宽度设置为300 nm；为了形成对比本文所采用方案上包层厚度为8 um，当刻蚀槽宽度为10 μm，12 μm，14 μm，16 μm时，仿真结果如图 3 所示。从图 3(a) 可以看出当上包层为8um时端面耦合器与光纤模场耦合效率达到最大，此时耦合损耗为0.72 dB。从图 5(b) 可以看出，蚀槽宽度为10 μm尖端宽度为210 nm时耦合损耗达到最小值为0.32 dB，比无刻蚀槽的传统方案耦合损耗降低56%。从图5中还可以看出，随着刻蚀槽的加入，端面耦合损耗对尖端宽度变化敏感降低，也提高了工艺的鲁棒性。 图3传统铌酸锂波导端面耦合器的横截面结构与其对应的模场分布。(a)截面图；(b)模场分布 图4的端面耦合器结构。(a) air trench部分；(b)对应计算得到的模场分布 图5 (a)传统方案仿真结果；(b)所提方案仿真结果 图6(a)宽度随倒锥耦合器的归一化位置；(b)?基于此倒锥线型的模式转换损耗随模式转换器长度的变化关系 模式转换损耗是端面耦合器需要考虑的另一个主要因素之一，结合倒锥形模式转化器结构（图4），对其归一化转换效率进行模拟仿真结果如图6 所示。图6(a)给出了基于传输常数计算得到的非线性倒锥耦合器的波导宽度随倒锥耦合器的归一化位置的变化关系，归一化位置的采用能够方便在仿真中设置实际物理长度。图6(b)给出了基于此倒锥线型的模式转换损耗随模式转换器长度的变化关系，可以看出当模式转换器长600 μm时，模式转换损耗可以降低至0.1 dB。 综上所述，通过模拟仿真分析，综合端面耦合器的横截面结构初步仿真设计，仿真计算得到的理想条件下每个总损耗在0.32+0.1=0.42 dB/facet，满足低端面损耗要求，也增强了实际加工条件的鲁棒性。 4结论 本文提出的低损耗波导-光纤模场转换的端面耦合器，揭示其实现高效模场控制和转换的关键机制，并对复合波导对光纤端口的失配问题提出解决方法。同时，理论上结合限制条件渐变的波导模型，研究本征模场如何更好的适配光纤波导进而实现低损耗的模场转换技术，通过模拟仿真分析，综合端面耦合器的横截面结构初步仿真设计，仿真计算得到的理想条件下低损耗要求，也增强了实际加工条件的鲁棒性，为未来的光纤与波导低损耗传输模场转换技术提供了新的思路。