顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究.docx

1.?? 引　言 GaN属于第三代宽禁带半导体材料, 其与AlN, InN组成的合金材料的禁带宽度可以在0.7—6.2 eV之间连续可调, 覆盖了红外到紫外光谱范围, 是一种制作发光器件的理想材料[1,2]. 近年来, 采用GaN材料制作的发光二极管(Light emitting diode, LED)已经取得了巨大的进步, 其寿命、可靠性、功耗及响应速度与传统发光器件相比都具有显著的优势[3,4], 已广泛应用于室内照明、景观照明、汽车灯具、显示屏、背光源等领域. 另外, 共振腔结构可以增强器件的发光强度、提高光谱纯度、优化出光方向性. 因此, 基于GaN材料的共振腔发光二极管(Resona