2021年全球NAND闪存市场份额、闪存容量及出货量分析预测.docxVIP

2021年全球NAND闪存市场份额、闪存容量及出货量分析预测 ? ? NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品， NAND被证明极具吸引力。 NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。 ? ? NAND闪存包括 SLC NAND,MLC NAND,TLC NAND和QLC NAND。 NAND闪存包括范围 ? ? 中国市场低密度 SLC NAND闪存主要出口目的地为亚洲地区。随着信息技术的三波创新革命，以移动互联网、大数据、云计算和物联网为代表的新一代信息技术发展正在推动信息产业转型升级，对海量数据的处理、存储提出了越来越高的要求。随着大数据时代的到来， NAND Flash芯片将在未来得到巨大发展。 中国市场未来发展的有利因素、不利因素分析 ? ? NAND闪存卡的主要分类以 NAND闪存颗粒的技术为主， NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC，从结构上又可分为2D、3D两大类。四种类型的 NAND闪存颗粒性能各有不同。 NAND闪存卡按存储原理分类 ? ? Flash技术主要分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类，对应不同的空间结构，这四类技术可又分为2D结构和3D结构两大类。 ? ? SLC（Single-LevelCell,SLC） NAND单元存储量为1bit/cell，单元擦/写寿命为10万次；MLC NAND单元存储量为2bit/cell，单元擦/写寿命为3000-10000次；TLC NAND单元存储量为3bit/cell，单元擦/写寿命为500次；QLC NAND单元存储量为4bitcell，单元擦/写寿命为150次。 四种类型的 NAND闪存单元存储量及单元擦/写寿命 ? ? NAND闪存，产品应用于消费电子产品、物联网、汽车、工业、通信和其他相关行业。 SLC NAND閃存主要应用领域 ? ? 《 》显示：按类型划分来看，2020年TLC NAND市场份额为55.61%；MLC NAND市场份额为32.15%；SLC NAND市场份额为1.82%；QLC NAND市场份额为10.43%，目前市场上应用最广泛的是TLC NAND,QLC作为新兴产品将在未来几年快速占领市场，SLC NAND的市场份额会进一步缩小。 2020年 NAND闪存市场份额(按类型划分) ? ? 目前，研究的 NAND闪存主要是8Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的 SLC NAND闪存，从不同种类低密度 SLC NAND閃存产量市场份额来看，8Gbit SLC NAND閃存产量市场份额为10.48%；4Gbit SLC NAND閃存产量市场份额为22.70%；2Gbit SLC NAND閃存产量市场份额为28.74%；其他 SLC NAND閃存产量市场份额为38.08%。 不同种类低密度 SLC NAND閃存产量市场份额 ? ? 从全球各国家及地区 NAND閃存生产情况来看，北美占23.48%的生产份额；日本占21.26%的生产份额；中国占31.97%的生产份额；中国台湾占12.76%的生产份额；韩国占6.32%的生产份额。 全球 NAND閃存生产份额比较 ? ? 虽然2019年存储市场经历了贸易战，出现了需求趋缓、价格下跌、库存压力等情况，但市场需求一直在，产品技术也不断提高。经过50年的闪存芯片发展，闪存容量增势迅猛。到2004年，闪存存储容量进入GB时代，从2004年闪存存储容量只有1GB；到2011年闪存存储容量的达到128GB；2013年3D NAND闪存颗粒技术的实践使闪存容量进一步提升，发展到128GB；目前，闪存存储容量高达TB，预计2022年发展到2TB。 2013-2022年全球单个3D NAND闪存颗粒容量变化（GB、层） ? ? 据统计，2019年 NAND闪存颗粒存储密度将达到3050亿GB当量，同比增长34.96%；2020年 NAND闪存颗粒存储密度将达到4420亿GB当量，同比增长44.92%；预计2021年 NAND闪存颗粒存储密度将达到6300亿GB当量，同比增长42.53%。 2016-2021年全球 NAND FLASH总存储容量及增长(单位：十亿GB、%） ? ? 2015-2016年，整个内存市场发展疲软，2017-2018年存储器IC市场出现了强势增长，2019年存储器IC市场出货量又出现下降，预计两年内会出现增长。 2012-2022年存储器IC市场出货量及增长（单位：十亿美元、%） ? ? 2020F内存市场出货量为1104亿美元，其中DRAM占53%；