纳米材料锰掺杂量子点中的近藤效应.docxVIP

山西大同大学学报（自然科学版） Ｖ ｏ ｌ３－ＯＮ．ｏ５． ０ｃ２ｔ０ｌ４ Ｊ ｏ ｕ ｏｒ ｆｎＳａｈｌａＤｎａｘｔｉｏＵｎｎｇｖｉｅ ｒｔｙｓＮ（ｉａ ｔａｕｌＳｒｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ ） 文章编号：１６７４—２０Ｏ８ｌ０７４５４）—（０Ｏ２０一Ｏ４ （山西大同大学固体物理研究所，山西大同０３７００９） 摘 要：采用非平衡格林函数方法，探讨了量子点掺杂锰原子纳米材料的低温输运特性。结果表明，输运受到 掺杂锰原子的强烈影响。具体来说，在微分电导中出现（２Ｓ＋１）个近藤劈裂峰，锰原子表现为一个多值量子化有效 磁场，导致这种劈裂。 中圈分类号：０４６９ 文献标识码：Ａ 磁性大分子由于奇特的宏观猫态干涉及隧穿 效应而备受关注ｎ。新近实验进展能把磁性大 分子做成三终端输运结构，进而得到许多有趣的结 果，比如负微分电５且，Ｉ近藤（Ｋｏｎｄｏ）关，联极】化输 运导致的磁性大分子翻转，Ｂｅｒｒｙ相产生的自旋振 荡等等。同时研究者想到制备磁性大分子的人工 对应物。这种人工磁性大分子在掺杂锰的量子点 ∑ 印 ：ｃ＋ Ｕ ｆｎｎ＋ ＪｓＪｓ：＋（ ｓ＋５一一 Ｓ）。＋ ＝ 一 （１） 这里ｕ是单能级上的库仑能，ｎ：ｃｃｔ＝ｆ，） 是能级粒子占据数算符。ｓ＋是锰原子的磁矩算 在库仑能较大时，人工磁性大分子上占据两个 载流子被禁止，则系统的本征态分为三支： ＩＡ，ｍ＞＝Ａｌ＞ｍＩ＞，此处ｍ是局域磁矩ｚ轴自旋算符 的好量子数，Ａ＝０，Ｔ，代，表Ｊ载流子在人工磁性大 分子上的占据数的分别是０，自旋向上，自旋向下。 系统本征态 １模型及理论计算 （２） ＝∈＋． ｍ，当＝Ｔ（ ）时６＝ ， ＋１（一１）。 把中间哈密顿量表示成Ｈｕｂｂａｄｒ算符形式。在 单占据情况下，人工磁性大分子上的载流子容易用 第一项 ：∑ｃ：ｃ指电极中的载流子而，第 １２１ｃ ＝ ，ｃ：＝，ｓ＋＝¨， 二项Ｈ＝∑ｔ妇Ｉｃｃ＋Ｈｃ．Ｊ为电极和人工磁性大分 ¨ｓ＝ （ ¨一 ， ｋ．ｄ 子之间的隧穿相互作用，其中ｃ：ｃ（）为人工磁性大 ＝ 结果： 收稿日期：２０１４—０８—２８ 作者简介：牛鹏斌（１９８３一），男，山西定襄人，博士，讲师，研究方向：凝聚态物理。 ２０１４年 牛鹏斌等：纳米材料锰掺杂量子点中的近藤效应 — 一… ＴＴ０．。０＝５０＝ｉ５ ＼Ｊｌ、 Ｓ。＝∑ｍＹ， Ｓ＝∑Ｓ． 一， 釜０１ Ｓ一＝ ∑ ￣／（Ｓ － ｍ）（＋Ｓ １＋ ｍＹ ）一。ｍ 。。０ １ ｓ‘＝ （３） ８０’－ ＼ ＼＿ 《 ‘ Ｈ ＾ （４） （５） ． Ｊ 。 １ 为了讨论此模型的近藤性质，我们给出电流公式 ，＝ 一～ 鲁 ＿∑幽 Ｊｒ（ ∞ 一）ｆＲ（ｔｏ）］Ｉｍ Ｇ￣（（ｏ），（ ６） Ｔ， 这里，Ｇ：（）一＜＜ｒｅｃ；＞＞是 Ｇ： ＜ ＜ ｃ．（ｔ）ｏｌｃ： ＝ Ｏ．Ｏ ｉＯｔ）（＜，｛ｃｃ（０：｝）＞ 的 Ｆ ｏｉｅｕｒ ｒ变 换 函 数 。 （＝ １ １ ２ 图１人工磁性大分子的态密度图 从图中观察到２＋１个近藤尖峰对称的分布于 费米面左右两侧，位于０３１＝Ｊｍ处。这些尖峰源于多 体物理关联隧穿。具体来说，电极载流子和人工磁 性大分子的局域磁矩形成强各向异性耦合，此多体 态在温度低时有整体输运，产生了图１的近藤尖 峰。这些尖峰与人工磁性大分子的能级紧密相关， 假设初态时一个自旋取向向下（或向上）的载流子 （∞）：— Ｌ （７） ＾一告６，ｎ一∑０一。 ： ｍ＝－ＳＤ（一∈ ’０ 二 高阶过程输运到导线的费米面上，同时作为自旋单 态整体的另一个自旋取向向上（或向下）的载流子， 位于另一个导线ｍＩ处，会输运到平行态 ２结果讨论 生类似于经典磁场的近藤峰劈裂效应。 在低温时，近藤效应表现为费米面上的电导突 然增大。图２给出电导随偏压变化图， 参数选取同 ＝ （／１￣）ｒＩｍＧ：）（。图１讨论人工磁性大分子局域载 图１。当Ｓ＝０（或者，．＝０），近藤峰出现在费米面 上，这正是熟悉的量子点中的结论【ｌ。同时，两个平 缓共振圆峰出现在２∈处。当． ，≠０，微分电导中 有２Ｓ＋１个尖峰，对应态密度的２Ｓ＋１个近藤尖 峰。随着温度减小，近藤峰会表现的更明显，如图 流子的态密度，大自旋磁矩取Ｓ＝１／２１，３，２／２，５，２／。 ２２ 山西大同大学学报（自然科学版） ２０１４正 —— Ｔ＝Ｏ０．０５ ０ ．２ ． 暑 —奄 ： 子点掺杂锰原子纳米材料的低温输运特性。结果 表明，输运受到掺杂锰原子的强烈影响。具体来 说，在微分电导中出现（２Ｓ＋１）个近藤劈裂峰，锰原 子表现为一个多值量子化有效磁场，从而导致这种 劈裂。 ： Ｏ．１５ Ｎ ． ｏ．１５ ０．１０ ０．１５ Ｃ ｏ． ４ ．３ －２ －１ Ｏ １ ２ ３ ４ 图２ 近藤区人工磁性大分子电导图 参考文献 ［］１Ｗ ｅ ｍ ｓ ｄｆｅｏｒＷｒ，