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第PAGE1页 /共 NUMPAGES8页 第三、四章复习题 一、选择正确答案填入空格内。 1、在本征半导体中加入 元素可形成P型半导体。 A. 四价 B. 五价 C. 三价 D. 二价 2、二极管正向偏置是指其阳极接直流电源的 极，阴极接直流电源的 极。 A. 正，负 B. 正，正 C. 负，负 D. 负，正 3、稳压二极管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 D. 静态 4、某场效应管的转移特性如图1所示，该管为 。 A. P沟道增强型MOS管 B. P沟道结型场效应管 C. N沟道结型场效应管 D. N沟道耗尽型MOS管 图1 5、VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. P沟道JFET B. 耗尽型MOS 管 C. N沟道JFET D. 增强型MOS 管 6、FET管的各极电流是由 形成的。 A. 多数载流子 B. 少数载流子 C. 两种载流子 D. 热运动 7、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 A. 大 B. 小 C. 相等 8、场效应管的工作原理是（ ）。 A. 输入电流控制输出电流 B. 输入电流控制输出电压 C. 输入电压控制输出电压 D. 输入电压控制输出电流 9、场效应管属于（ )。 A. 单极性电压控制型器件 B. 双极性电压控制型器件 C. 单极性电流控制型器件 D. 双极性电压控制型器件 二、填空。 1、N型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是空穴。 2、PN结具有 性，此外还有反向击穿特性和极间电容效应。 3、FET的I-V特性曲线分别是 和转移特性曲线。 4、FET的直流参数分别是：开启电压VT， ，饱和漏极电流IDSS，直流输入电阻RGS。 5、放大电路的分析方法是图解法和 。 6、当VGS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为 型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为 型场效应管。 7、场效应管主要有 和JFET两种类型。 8、场效应管放大电路共有三种组态 、 、 放大电路。 三、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入括号内，若判定为“×”则在题目下方写出正确的表述。 1、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。( ) 2、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) 3、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。( ) 4、集成运算放大器工作时始终有“虚短”和“虚断”的状态。( ) 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。( ) 四、写出题图2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压VD=0.7V。（10分） (b) 图2 五、已知二极管电路如下图3所示，试分析电路： 1、该二极管导通还是截止？ 2、试分别采用理想模型和恒压降模型等效二极管，求各自的输出电压VAO=？ 图3 六、已知图4中输入电压为vI=10sinwt V稳压管的稳定电压为8V，分别画出稳压管DZ电压波形。 图4 七、电路下图5所示，已知VTN=2V，IDO=1mA，gm=30mS，其它参数如图所示。场效应管静态电流ID计算公式为I