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5场效应管放大电路会计学N沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道N沟道JFETN沟道结型FET场效应管MOSFET(IGFET)绝缘栅型第1页/共58页场效应管的分类：P沟道耗尽型P沟道（耗尽型）P沟道第2页/共58页5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管沟道增强型MOSFET沟道耗尽型MOSFET沟道MOSFET沟道长度调制效应的主要参数第3页/共58页沟道增强型MOSFETL ：沟道长度W ：沟道宽度tox ：绝缘层厚度1. 结构（N沟道）通常 W L 符号第4页/共58页沟道增强型MOSFET1. 结构（N沟道）剖面图第5页/共58页沟道增强型MOSFET2. 工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。当0vGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。当vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚VT 称为开启电压图1 (b)第6页/共58页2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用当vGS一定（vGS VT ）时，?沟道电位梯度?vDS较小??ID??靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄整个沟道呈楔形分布第7页/共58页2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用当vGS一定（vGS VT ）时，?沟道电位梯度?vDS??ID? 当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT第8页/共58页2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用?夹断区延长预夹断后，vDS??沟道电阻??ID基本不变第9页/共58页2. 工作原理（3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时: 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。第10页/共58页3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程① 截止区(vGS＜VT)当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。第11页/共58页3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程1② 可变电阻区:vDS≤（vGS－VT）可变电阻区,由于vDS较小V-I 特性可近似表示为:23rdso是一个受vGS控制的可变电阻 本征电导因子第12页/共58页3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程② 可变电阻区 其中?n ：反型层中电子迁移率Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容Kn为电导常数，单位：mA/V2是vGS＝2VT时的iD 第13页/共58页3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程③ 饱和区（恒流区又称放大区）vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT）V-I 特性：1第14页/共58页3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性123（a）（b）第15页/共58页沟道耗尽型MOSFET p2051. 结构和工作原理（N沟道）(b)(a)二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流增强型:第16页/共58页沟道耗尽型MOSFET2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 1输出特性转移特性耗尽型:2第17页/共58页沟道MOSFET 1第18页/共58页第19页/共58页沟道长度调制效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的修正后L的单位为?m当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 第20页/共58页的主要参数 P208一、直流参数1. 开启电压VT （增强型参数）2. 夹断电压VP （耗尽型参数）3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数）4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ）二、交流参数 1. 输出电阻rds NMOS增强型2当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ ∵ 则其中第21页/共58页的主要参数二、交流参数 2. 低频互导gm 1近似估算gm的方法：由 其中第22页/共58页得：3. 最大漏源电压V（BR）DS:发生雪崩击穿、 开始急剧上升 时 的值第23页/共58页的主要参数三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 4. 最大栅源电压V（BR）GS :是指栅源间反向电流开始急剧增 加时的VGS值end第24页/共58页5.2 MOSFET放大电路放大电路11. 直流偏置及静态工作点的计算2. 图解分析3. 小信号模型分析共源极放大电路直流通路第25页/共58页放大电路1. 直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N