模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研真题.pdfVIP

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研真题 第一部分　考研真题精选 一、选择题 1以下说法正确的是（ ）。[中山大学2018研] A ．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体 B ．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电 C ．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的 D ．若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，则其输入电阻会明显变小 【答案】A查看答案 【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡 少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。 2当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（ ）。[中山大学2018研] A ．增大 B ．不变 C ．变小 【答案】A查看答案 【解析】低频跨导gm为ΔID与ΔuGS之比，当漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，显然gm增大。 3PN结加正向电压，空间电荷区将（ ）。[中山大学2017研] A ．变窄 B ．基本不变 C ．变宽 【答案】A查看答案 【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N 区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中 和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。 4二极管