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FinFET器件结构的研究分析
摘 要
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摘 要
随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后,工业界从他们过去的趋势下就推算出在当时的技术下半导体技术不能按照摩尔定律（集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍）再往下走太多了。传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。从而制造出FinFET。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。本文主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来
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