MOS的阈值电压和电流.pptxVIP

会计学1MOS的阈值电压和电流 2长沟道MOS器件模型3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析3.1.2 MOS晶体管电流方程3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性3.2.3 MOS交流模型3.2.4 MOS晶体管的特征频率第1页/共41页 3MOS晶体管的结构MOS晶体管的结构第2页/共41页 4MOSFET的输入、输出特性曲线第3页/共41页 5MOS晶体管阈值电压分析阈值电压的定义： 使源端半导体表面达到强反型的栅压，是区分MOS器件导通和截止的分界点。第4页/共41页 6Switch Model of NMOS TransistorGateSource(of carriers)Drain(of carriers)| VGS || VGS | | VT || VGS | | VT |Open (off) (Gate = ‘0’)Closed (on) (Gate = ‘1’)Ron第5页/共41页 7阈值电压SDp substrateBG VGS + - n+n+depletion regionn channel半导体表面达到强反型的栅压-- VT第6页/共41页 81、阈值电压公式(假设NMOS源端和衬底接地) VFB对应半导体平带电压Vox对应栅氧化层上的压降 对应半导体表面耗尽层上的压降第7页/共41页 9φF 是衬底费米势 φF =(kT/q)ln(NA/ni) (NMOS)φF =-(kT/q)ln(ND/ni) (PMOS) 阈值电压：耗尽层压降－表面势SDp substrateBG VGS + - n+n+depletion regionn channel第8页/共41页 10QBM/Cox对应栅氧化层上的压降（NMOS） QBM= –[2?0?SiqNA(2φF)]1/2 Cox= ?0?ox /tox阈值电压：氧化层压降第9页/共41页 11VFB：半导体平带电压栅氧化层中的可动电荷和固定电荷以及界面态电荷栅材料和硅衬底之间的功函数差外加栅压抵消这部分能带弯曲，使得能带恢复平直，称为平带电压VGS＝0，Qox＝0第10页/共41页 12影响阈值：1、栅电极材料不同栅电极材料同硅衬底之间的功函数差不同深亚微米工艺中分别采用n＋和p＋硅栅，有利于nmos和pmos器件阈值电压对称第11页/共41页 13影响阈值：2、栅氧化层栅氧化层的厚度增加，阈值电压增加栅氧化层中的电荷也会影响阈值电压QBm/Cox对应栅氧化层上的压降 QBm= –[2?0?SiqNA(2φF)]1/2Cox= ?0?ox /tox第12页/共41页 14影响阈值：3、衬底掺杂浓度本征阈值：理想器件（平带电压为0）的阈值电压增强型器件要求本征阈值大于平带电压绝对值提高衬底掺杂浓度可以增加本征阈值第13页/共41页 152、体效应对阈值电压的影响衬底偏压VBS的影响假设衬底和源端等电位如果衬底和源端之间有电压，阈值电压会发生变化，也称为衬偏效应第14页/共41页 16衬底偏压VBS对阈值影响NMOS器件一般加负的衬底偏压，即VBS0，保证源和衬底之间pn结反偏隔离这样源端耗尽层展宽，阈值电压公式中耗尽层电荷增加，阈值电压增加第15页/共41页 172、体效应对阈值电压的影响引入体效应因子带衬偏电压的阈值电压公式体效应引起的阈值电压变化第16页/共41页 18不同衬底掺杂浓度下，衬底偏压引起阈值电压的变化第17页/共41页 19体效应的应用电路中不是所有器件的源和衬底均能够短接，这个时候体效应引起阈值电压的变化，影响电路性能动态阈值控制电路中，利用衬底偏压调节阈值，满足高速和低功耗不同应用的需要第18页/共41页 20长沟道MOS器件模型3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析3.1.2 MOS晶体管电流方程3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性3.2.3 MOS交流模型3.2.4 MOS晶体管的特征频率第19页/共41页 213.1.2 MOS晶体管的电流电压特性漏电压对MOS特性的影响 简单电流方程第20页/共41页 221、漏电压对MOS特性的影响栅电压高于阈值电压，沟道区形成导电沟道加上漏电压Vds，形成横向电场，NMOS沟道电子定向运动线性区第21页/共41页 23漏电压对MOS特性的影响漏压不断增加，反偏pn结耗尽区不断扩展漏压达到夹断电压，漏端沟道夹断饱和区第22页/共41页 24 漏电压对沟道电荷的影响第23页/共41页 25 没有漏电压时沟道区电荷分布第24页/共41页 26 漏电压较小时沟道区电荷分布第25页/共41页 27漏端沟道夹断情况第26页/共41页 28 漏电压较大