半导体材料-硅和锗的化学制备.pptxVIP

一、Si和Ge物理性质第一章 硅和锗的化学制备1.1 硅和锗的物理化学性质Si、Ge——元素周期表中第Ⅳ族元素Si——银白色Ge——灰色晶体硬而脆 二者熔体密度比固体密度大，故熔化后会体积收缩(锗收缩5.5％，而硅大约收缩10％)第1页，共70页。第2页，共70页。第3页，共70页。Si可制作高压器件，并且工作温度比Ge器件高GeSi 0.67室温Eg1.106Ge可做低压大电流和高频器件本征电阻率2.3× 10546.0迁移率μn1350 3900 μp 480 1900第4页，共70页。二、化学性质：三、存在形式及特性室温下，Si，Ge比较稳定，与空气、水、弱酸、都无反应，但可与强酸、强碱作用。高温下，化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢等物质反应，生成相应的化合物。自然界，Si —SiO2和硅酸盐SiO2特性：坚硬、脆、难熔的无色固体，膨胀系数小，熔点为1600℃，抗酸（除HF外），用做器皿（半导体工业中）。正方晶系金红石型（熔点1086±5 ℃）1035 ℃可互相转化GeO2特性：有两种晶型六方晶系石英型（熔点为1116±4 ℃）第5页，共70页。四、Si，Ge化学反应式这些卤化物具有强烈的水解性，在空气中吸水而冒烟Si+2Cl2SiCl4Si(Ge)X4+Si(Ge)2Si(Ge)X2Si+３HCl SiHCl3+H2Ge+2Cl2GeCl4GeO2+4HCl GeCl4+2H2O此外，存在非晶态的GeO2。SiO2和GeO2用H2,C可还原为黑色树脂状的SiO和淡黄色无定型的 GeO （700 ℃时易挥发）。1、Si和Ge与卤素或卤化氢反应式还可制取低价卤化物第6页，共70页。SiCl4、SiHCl3、SiH4的物理化学特性见表1.2第7页，共70页。SiCl4SiHCl3无色透明液体Si-H键的增多稳定性减弱SiH4无色气体空气中自然爆炸第8页，共70页。2、Si,Ge高温下可与H2O、O2反应～1100℃Si+O2SiO2硅平面工艺中的掩蔽膜Si+2H2OSiO2+2H2水溶液Mg2Si+4HClSiH4+2MgCl2液NH3Mg2Si+4NH4ClSiH4+4NH3+2MgCl23、烷烃化合物 Si(Ge)H2n+2 4、硅（锗）镁合金与无机酸或卤氨盐作用制硅（锗）烷第9页，共70页。爆炸SiO2+2H2OSiH4+2O2SiH4+H2OSi(OH)4+2H25、SiH4特性：　(a) 活性高，空气中自然，固态硅烷与液氧混合在-190℃低温下也　易发生爆炸.(b)易与水、酸、碱反应：SiH4+2NaOH+H2O=Na2SiO3+4H2第10页，共70页。褐色检查硅烷的存在2MnO2+K2SiO3+H2O+H2SiH4+2KMnO4加热Si +2H2SiH4Ge +2H2GeH4加热（c)具有强的还原性（d)与卤素反应发生爆炸SiH4+4Cl2=SiCl4+4HCl(e) SiH4和GeH4四个键都是Si-H,Ge-H，非常不稳定、易热分解——获得高纯Si、Ge。第11页，共70页。1600-1800℃SiC+2COSiO2+C工业硅的纯度约为97%2SiC+SiO2=3Si+2CO 1.2 高纯硅的制备硅在地壳中的含量约占27%，仅次于氧（48%）硅来源：石英砂（主要来源），硅酸盐粗硅（工业硅）：95%—99%纯度的硅粗硅的制备方法：石英砂和焦炭在碳电极的电弧炉中还原制得。反应方程式：第12页，共70页。化学提纯制备高纯硅的方法：1、SiHCl3氢还原法 优点：产量大、质量高、成本低，是目前国内外制取高纯硅的主要方法。2、SiH4法 优点：有效除去硼和金属杂质、无腐蚀性、不需要还原剂、分解温度低和收 益高，是有前途的方法。 缺点：易爆炸，不安全。3、SiCl4氢还原法——硅收益低，不常用。 但在Si外延生长中有使用SiCl4做Si源。第13页，共70页。 三氯氢硅氢还原法一、 SiHCl3的性质 室温下为无色透明、油状的液体，易挥发和水解，空气中剧烈发烟并有 强烈的刺激味道，沸点低（31.5℃）、容易制备、提纯和还原。此外比SiCl4 活泼易分解。四面体结构第14页，共70页。二、SiHCl3的制备 原料：干燥的HCl气体和硅粉（工业硅） 第15页，共70页。280-300℃反应方程式：Si+3HClSiHCl3+H2+309.2kJ/mol副反应：SiCl4+H2SiHCl3+HCl2SiHCl3Si+SiCl4+2HClSi+4HClSiCl4+2H24SiHCl3Si+3SiCl4+2H22Si+7HClSiHCl3+SiCl4+3H2Si+2HClSiH2Cl2副产物：SiH2Cl2、SiCl4第16页，共70页。为了减少副产物，生产中要控制：（1）反应温度280-300℃。（2）向反应炉中