半导体制造工艺-刻蚀.pptxVIP

图形转移过程演示图形转移＝光刻＋刻蚀两大关键问题：选择性方向性：各向同性/各向异性待刻材料的刻蚀速率掩膜或下层材料的刻蚀速率横向刻蚀速率纵向刻蚀速率第1页，共47页。刻蚀的性能参数刻蚀速率R(etch rate)单位时间刻蚀的薄膜厚度。对产率有较大影响刻蚀均匀性(etch uniformity)一个硅片或多个硅片或多批硅片上刻蚀速率的变化选择性S(Selectivity)不同材料之间的刻蚀速率比各项异性度A(Anisotropy)刻蚀的方向性A=0, 各项同性；A=1, 各项异性掩膜层下刻蚀(Undercut)横向单边的过腐蚀量 第2页，共47页。过腐蚀（钻蚀）：A＝0 0A1A=1假定S＝?时Uniformity/non-uniformity均匀性/非均匀性 Rhigh: 最大刻蚀速率Rlow: 最小刻蚀速率方向性：第3页，共47页。刻蚀要求:1. 得到想要的形状（斜面还是垂直图形）2. 过腐蚀最小（一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全）3. 选择性好4. 均匀性和重复性好5. 表面损伤小6. 清洁、经济、安全两类刻蚀方法：湿法刻蚀——化学溶液中进行反应腐蚀，选择性好干法刻蚀——气相化学腐蚀（选择性好）或物理腐蚀（方向性好），或二者兼而有之第4页，共47页。刻蚀过程包括三个步骤：反应物质量输运（Mass transport）到要被刻蚀的表面在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应反应产物从表面向外扩散的过程第5页，共47页。湿法刻蚀反应产物必须溶于水或是气相第6页，共47页。例1：SiO2采用HF腐蚀实际用BOE：buffered oxide etching或BHF: buffered HF加入NH4F缓冲液：弥补F和降低对胶的刻蚀例2：Si采用HNO3和HF腐蚀（HNA）例3：Si3N4采用热磷酸腐蚀各向同性第7页，共47页。各向异性硅湿法腐蚀由于晶向而产生的各向异性腐蚀例4：Si采用KOH腐蚀Si + 2OH- + 4H2O ?Si(OH)2++ + 2H2 + 4OH-第8页，共47页。原子密度：111 110 100腐蚀速度：R(100)? 100 R(111)第9页，共47页。HNA各向同性腐蚀自终止第10页，共47页。利用Si的各向异性湿法腐蚀制作的MEMS（MicroElectroMechanical Systems）结构第11页，共47页。湿法腐蚀的缺点在大规模集成电路制造中，湿法腐蚀正被干法刻蚀所替代：（1）湿法腐蚀是各向同性，干法可以是各向异性（2）干法腐蚀能达到高的分辨率，湿法腐蚀较差（3）湿法腐蚀需大量的腐蚀性化学试剂，对人体和环境有害（4）湿法腐蚀需大量的化学试剂去冲洗腐蚀剂剩余物，不经济第12页，共47页。干法刻蚀化学刻蚀（各项同性，选择性好）——等离子体激活的化学反应(等离子体刻蚀)物理刻蚀（各向异性，选择性差）——高能离子的轰击 (溅射刻蚀) 离子增强刻蚀（各向异性，选择性较好）——反应离子刻蚀第13页，共47页。化学刻蚀 物理刻蚀第14页，共47页。离子增强刻蚀-Ion Enhanced etching无离子，XeF2对Si不刻蚀纯Ar离子，对Si不刻蚀Ar离子和XeF2相互作用，刻蚀速率很快物理过程（如离子轰击造成的断键/晶格损伤、辅助挥发性反应产物的生成、表面抑制物的去除等）将有助于表面化学过程/化学反应的进行等离子体刻蚀的化学和物理过程并不是两个相互独立的过程，而且相互有增强作用第15页，共47页。典型的RF等离子刻蚀系统和PECVD或溅射系统类似第16页，共47页。等离子刻蚀基本原理等离子体等离子体（Plasma）的含义包含足够多的正负电荷数目近于相等的带电粒子的物质聚集状态。 由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就变成由自由运动并相互作用的正离子和电子组成的混合物(蜡烛的火焰就处于这种状态)。我们把物质的这种存在状态称为物质的第四态，即等离子体(plasma)。因为电离过程中正离子和电子总是成对出现，所以等离子体中正离子和电子的总数大致相等，总体来看为准电中性。液态气态等离子体固态第17页，共47页。刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制刻蚀机制刻蚀工艺包括5个步骤：1、刻蚀过程开始与等离子体刻蚀反应物的产生；2、反应物通过扩散的方式穿过滞留气体层到达表面；3、反应物被表面吸收；4、通过化学反应产生挥发性化合物；5、化合物离开表面回到等离子体气流中，接着被抽气泵抽出。基本刻蚀方式为：物理方式：溅射刻蚀，正离子高速轰击表面；化学方式：等离子体产生的中性反应物与物质表面相互作用产生挥发性产物。化学方式有高腐蚀速率、高的选择比与低的离子轰击导致的缺陷，但有各向同性