哈工大模拟电子技术基础期末试卷2012.docxVIP

班号姓名哈工大 2012 班号 姓名 模拟电子技术基础 试 题 (A) 题号一 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 卷 面 平 时 总分 分数 本题得分一、(14 分)填空和选择填空（每空 1 分） 本题得分 某场效应管的转移特性曲线如图 1.1 所示，该场效应管为 N 沟道耗尽绝缘栅型场效应管。 i / mA i / mA D 6 U 4 U 2 GS(off) R V (+12V) CC 10k ? C u R 10k? C O R B 20k ? VT VT 1 R 2 u R B 20k? W u I1 I2 R E 10k? DS ?4 ?2 O u / V GS  V (-