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第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为 P 型半导体。( )
(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( )
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,
才能保证其 R
GS
大的特点。( )
若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U
GS
大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )
解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (
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