山西HJT靶材研发项目可行性研究报告【范文】.docx

泓域咨询/山西HJT靶材研发项目可行性研究报告 报告说明 可以通过材料间功函数的匹配程度降低TCO薄膜与非晶硅、金属电极两种界面之间的接触电阻。半导体-半导体界面（TCO薄膜-非晶硅界面）：TCO薄膜可视为半导体，功函数低的一端电子会向功函数高的一端迁移，在N型非晶硅层上需选择高功函数的TCO材料以利于电子向TCO膜层迁移，同时P型非晶硅层上需选择低功函数的TCO材料以利于电子向P型非晶硅层迁移。TCO-II应兼具优良的导电、透光性，优选IZO、IZrO、ITO（99:1~97:3），氧化锡含量越少，功函数越高。 根据谨慎财务估算，项目总投资4481.98万元，其中：建设投资2626.57万元