半导体材料第二章.pptxVIP

第二章 半导体材料制备理论基础;2.1.1 基本概念;2 相;描述相的变量：温度，压强和组分（热力学） 根据相的定义可知，相与相之间有界面，各相可以用机械方法加以分离，越过界面时性质发生突变。 相和物质的数量和多少无关，和物质是否连续无关。 例：硅锭，无论有多少块都属于一个相。 ;相的几个特征;3 组元;4 独立组元;如果体系存在化学反应或是其他组分间关系的限制条件（例如浓度），那它的独立组元数就不等于组元数，而是组元数减去组分间关系的限制条件数。 举例：NaCl和KNO3的水溶液 NaCl+KNO3=NaNO3+KCl, 该体系的组元数有5个，但有两个限制条件，独立组元数为3。 系统的独立组元数只能等于或者小于组元数。 通常把具有n个独立组元的系统称为n元系统 ;5 自由度;6 平衡态;7 相平衡;8 相变;9 相图;液体和固体受压力的影响很小，因此半导体材料的固态、液态或两态并存的聚集状态可以不考虑压强的作用。 半导体材料制备过程中使用的相图一般只考虑温度和组分这两个变量。 组分变量通常用原子百分比来表示。对于一个二元系，组分坐标轴（横轴）的两个端点分别代表两个纯组元。相图上，纵坐标通常表示温度。 ;2.1.2 相图的测定方法;研究相平衡基本方法;热分析法测量相图的装置示意图;以Si和Ge构成的合金为例 ;2.1.3 二元系相图的分析 1 相图的内容;a;杠杆原理 ;;相图的分类;2.1.5 几种常见的相图;;;;物相点m1（B组元含量不大） 1）初始态：液态。组分比x1G点对应的饱和组分，该系统在任何T下的凝固态都是?相。 2)T降到T1 （l1）时－开始结晶，析出?相(l+ ?)－ ?相组分由s1定 3)T下降T2 －L+S区－ ?相L相满足杠杆原理 4）TT3时，全部固化，生成组分比与起始状态相等的?相固溶体 5）温度继续降低系统无变化。;;物相点m2（B组元含量介于D-G） 1)T2时结晶开始－ ?相析出（组分比由s2定），TT2－L+ ?相满足杠杆原理－ T4系统凝结成?相固体,组分B的含量与熔体相同 2） T4 T TF,T下降系统不变，?相 3)TTF，组分比x2G点的饱和组分－B的沉析－?相（组分由Q?定)－系统进入?+???存区.。4）T减低,共晶体中的?相和?相的组分各自沿曲线DG和曲线FH变化，物相点沿Q?x2。 5）TG时，物相点f，?相组分－i确定，?相组分－j确定;Tm;物相点m3(DE之间) 1)T=Tm－析出?相，m3点B组元含量x3D点x?, max 2) TE－熔体全部凝固 3）T下降－?＋?共晶体，发生?相和?相之间的转变。两相的比例根据杠杆原理求出。 ?相和?相的组分各自沿曲线DG和曲线FH变化;m4;M4（组分正好在E点）Tl＝TS=TE TTE，液相 T=TE,凝固，－?相和?相按一定的比例同时析出，进入二相区满足杠杆原理 与其他物相点相比，m4的TE 最低，称为共晶温度。 E点是?相、? 相和熔体三相共存的物相点，又称共晶点或低共溶点。;3、 共晶图;;m1：初态 组份AB 1.T＝T1：结晶析出A固相（纯A组元100％） 2.TETT1：(L＋A)―杠杆原理决定：L与A质量比，组份比 3.T＝TE：全固相 满足杠杆 4.TTE:（A＋B）共晶 共晶： 1、两种纯组元的混合 Si－Al 2 两种共溶体的混合 a相与b相共晶;4、 化合物相图;;1;m1 组份xm （A，AmBn区） ;2.1.6 相图的应用 1、生长方法选择 不同生长方法各有特点，根据晶体的性质选择 例：熔体中生长晶体 1)有固相相变时――不易从熔体生长 例a－LiIO3(α碘酸锂 ) 所以水溶液生长 2)无固相变化，有固液平衡――熔体生长 2、配料成份选择;3、晶体完整性 1)冷却时浓度固溶度――析出第2相 2)温度波动――生长条纹 3）化合物配比偏离 4、生长速度的选择 分凝系数k ? 1 快 杂质少的――快 液相线斜率大――生长应慢;2.2 区熔提纯原理;背景知识1、半导体材料的性质对于它的纯度与结构完整性具有敏感性。2、半导体材料制备的主要内容包含提纯与晶体生长。 3、区熔提纯是半导体材料工艺中普遍使用的晶体纯化技术，是一种利用杂质分凝效应实现提纯效果，弥补化学提纯之不足的一种物理提纯技术。 ;2.2.1 杂质分凝现象与分凝系数;2） 熔点;（2） 不纯材料 固溶体的TS与同成份的液熔体TL不重合 同成份固/液相不能处于平衡态（T不同） or 处于平衡态的固/液相是非同成份的 固/液平衡?分凝;2、分凝系数 ;l2;2）讨论分凝系数的近似条件