章晶体管交流放大.pptxVIP

会计学ICIBICEIBEICBOIE第1页/共85页7.1.2 电流放大作用++1、发射区向基区扩散电子C发射结处于正向偏置，多子的扩散运动加强，发射区的自由电子不断向基区扩散。形成发射极电流 IE 。NPB+2、电子在基区的扩散和复合RB电子在基区继续向集电结扩散。有少部分与基区中的空穴复合，形成基极电流IB ? IBE 。NECEBE—内部载流子运动规律3、集电区收集扩散电子集电结反向偏置，将从E区扩散过来的自由电子拉入集电区，形成集电极电流(ICE ? IC)。集电结反向偏置又有利于少数载流子的漂移运动，形成反向截止电流ICBOICIBICBOIE第2页/共85页电流放大作用放大作用的内部条件：基区很薄且掺杂浓度很低放大作用的外部条件：发射结正向偏置、集电结反向偏置发射区向基区注入的电子电流IE将分成两部分ICE和IBE，它们的比值反向截止电流CNICEECPBIBERBN表示晶体管的电流放大能力，称为直流电流放大系数EBECC+++----+BBEE第3页/共85页 电流放大作用在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则对于NPN型晶体管对于PNP型晶体管且且ICmAIB?AVUCERBVECUBEEB第4页/共85页 晶体管的特性曲线特性曲线是表示晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。最常用的是共发射极接法的输入特性曲线和输出特性曲线，特性曲线的测量电路见右图。用晶体管特性图示仪也可直接测量显示晶体管的各个特性曲线。IB(?A)80UCE?1V604020UBE(V)O0.40.8第5页/共85页1. 输入特性特点:非线性正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7VPNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V当UCE ?1V时集电结已处于反向偏置，从发射结发射过来的电流绝大部分将形成集电极电流，即UCE ?1V后，输入特性曲线基本重合。死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。IC(mA )100?A480?A360?A240?A1O36129UCE(V)第6页/共85页2. 输出特性输出特性曲线通常分三个工作区：(1) 放大区IB一定时，当UCE超过约1V以后UCE继续增加时， IC 的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性，放大区20?A 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。IB=0IC(mA )4100?A380?A60?A240?A120?AIB=0O36912UCE(V)第7页/共85页（2）截止区IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。（3）饱和区饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。截止区 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。第8页/共85页 晶体管的主要参数 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。1. 电流放大系数 ，?当晶体管接成发射极电路时，交流电流放大系数直流电流放大系数注意：常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。IC(mA )4100?A380?A60?A240?A120?AIB=0036912UCE(V)在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。第9页/共85页例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A,IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。在 Q1 点，有Q2由 Q1 和Q2点，得Q1ICBO–+?AEC–+?AIB=0ICEO第10页/共85页2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO?3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ICEO受温度的影响大。温度??ICEO?，所以IC也相应增加。晶体管的温度特性较差。ICBO（ICEO）表明管子优劣第11页/共85页4. 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO晶体管基极开路时，集—射极之间的最大允许电压。当UCEU(BR)CEO时，ICEO突变，晶体管会被击穿损坏。6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于晶体管允许的温升，消耗功率过大，温升过