《化合物半导体材料与器件》课程教学大纲.docVIP

《化合物半导体材料与器件》课程教学大纲 课程代码：ABJD0527 课程中文名称: 化合物半导体材料与器件 课程英文名称：Compound Semiconductor Materials and Devices 课程性质：选修 课程学分数：2学分 课程学时数：32学时 授课对象：电子科学与技术专业 本课程的前导课程：固体物理、半导体物理、场效应器件物理 一、课程简介 《化合物半导体材料与器件》是一门电子科学与技术专业的专业核心课程，所涉及的专业技术内容有：化合物半导体材料，化合物半导体器件，半导体异质结的形成，半导体异质结的能带，异质结双极晶体管，金属半导体肖特基接触，金属半导体场效应晶体管，调制掺杂场效应晶体管，半导体光电子器件，宽带隙化合物半导体器件等基础化合物半导体材料和器件知识。旨在培养电子科学与技术专业的学生，能够在半导体领域内掌握相关理论基础和器件结构的技术人才。 二、教学基本内容和要求 第一章 化合物半导体材料与器件基础 主要教学内容：（1）、半导体材料的分类；（2）、化合物半导体材料晶格结构；（3）、化合物半导体材料化学键和极化；（4）、化合物半导体材料能带结构；（5）、化合物半导体材料施主和受主能级；（6）、化合物半导体材料载流子迁移率；（7）、化合物半导体器件的发展方向。 教学要求： 1）、了解元素半导体、化合物半导体、半导体固溶体概念和种类。 2）、了解化合物半导体器件的发展方向。 3）、理解化合物半导体材料的晶格结构、化学键和极化。 4）、掌握化合物半导体材料的能带结构、施主和受主能级以及载流子迁移率。 重点：掌握化合物半导体材料的能带结构、施主和受主能级。 难点：掌握化合物半导体的载流子迁移率。 第二章 半导体异质结 主要教学内容：（1）、异质结的形成；（2）、异质结的能带图；（3）、突变异质结的伏安特性和注入特性；（4）、异质结的超注入现象；（5）、二维电子气的形成及能态；（6）、多量子阱与超晶格。 教学要求： 1）、理解异质结的概念。 2）、理解异质结的能带图。 3）、了解二维电子气的形成和能态。 重点：掌握半导体异质结能带结构。 难点：量子阱与二维电子气。 第三章 异质结双极晶体管 主要教学内容：（1）、异质结双极晶体管的基本结构；（2）、异质结双极晶体管的增益，异质结双极晶体管的频率特性；（3）、先进的异质结双极晶体管。 教学要求： 1）、掌握异质结双极晶体管的基本结构。 2）、了解异质结双极晶体管的增益特性。 3）、掌握异质结双极晶体管的频率特性。 4）、了解先进的异质结双极晶体管。 重点：异质结双极晶体管的增益。 难点：异质结双极晶体管的频率特性。 第四章 化合物半导体场效应晶体管 主要教学内容：（1）、金属半导体肖特基接触；（2）、金属半导体场效应晶体管；（3）、调制掺杂场效应晶体管。 教学要求： 1）、了解金属半导体肖特基接触的基本模型。 2）、掌握金属半导体肖特基接触的能带结构。 3）、了解金属半导体场效应晶体管的器件结构和特性。 重点：金属半导体肖特基接触的能带结构，金属半导体场效应晶体管的工作原理。 难点：金属半导体场效应晶体管的噪声理论。 第五章 半导体光电子器件 主要教学内容：（1）、半导体的光学性质；（2）、太阳能电池；（3）、光电探测器件；（4）、发光二极管和半导体激光器。 教学要求: 1）、了解光的本质。 2）、掌握半导体的辐射跃迁，半导体光吸收原理和光伏效应。 3）、掌握太阳能电池pn结电流-电压特性。 4）、掌握光电探测器件的原理和结构。 5）、理解发光二极管和半导体激光器的特性。 重点：掌握半导体的辐射跃迁，半导体光吸收原理和光伏效应；掌握太阳能电池pn结电流-电压特性。 难点：掌握光电探测器件的原理和结构；理解发光二极管和半导体激光器的特性。 第六章 宽带隙化合物半导体器件（6学时） 主要教学内容：（1）、宽带隙半导体材料基本特性；（2）、碳化硅器件及其应用；（3）、氮化镓器件及其应用；（4）、其他宽带隙半导体器件 教学要求： 1）、掌握宽带隙半导体材料基本特性 2）、了解碳化硅器件及其应用 3）、了解氮化镓器件及其应用 重点：掌握宽带隙半导体材料基本特性 难点：掌握碳化硅器件及其应用和氮化镓器件及其应用。 三、实验教学内容及基本要求 无 四、教学方法与手段 化合物半导体材料与器件这门课程主要采用讲授法、讨论法等方法进行教学。 教学手段采用多媒体教学为主，多种教学方式为辅。 五、教学学时分配 章节与内容 课时 作业量 备注 第一章 化合物半导体材料与器件基础 8学时 2 讲课7学时习题1学时 第二章 半导体异质结 4学时 1 讲课4学时 第三章 异质结双极晶体管 4学时 1 讲课4学时 第四章 化合物半导体场效应晶体管 4学时 1 讲课4学时 第五章