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《化合物半导体材料与器件》课程教学大纲
课程代码:ABJD0527
课程中文名称: 化合物半导体材料与器件
课程英文名称:Compound Semiconductor Materials and Devices
课程性质:选修
课程学分数:2 学分
课程学时数:32 学时
授课对象:电子科学与技术专业
本课程的前导课程:固体物理、半导体物理、场效应器件物理
一、课程简介
《化合物半导体材料与器件》是一门电子科学与技术专业的专业核心课程,所涉及的专业技术
内容有:化合物半导体材料,化合物半导体器件,半导体异质结的形成,半导体异质结的能带,异
质结双极晶体管,金属半导体肖特基接触,金属半导体场效应晶体管,调制掺杂场效应晶体管,半
导体光电子器件,宽带隙化合物半导体器件等基础化合物半导体材料和器件知识。旨在培养电子科
学与技术专业的学生,能够在半导体领域内掌握相关理论基础和器件结构的技术人才。
二、教学基本内容和要求
第一章 化合物半导体材料与器件基础
主要教学内容:(1)、半导体材料的分类;(2 )、化合物半导体材料晶格结构;(3 )、化合
物半导体材料化学键和极化;(4 )、化合物半导体材料能带结构;(5 )、化合物半导体材料施主
和受主能级;(6 )、化合物半导体材料载流子迁移率;(7 )、化合物半导体器件的发展方向。
教学要求:
1)、了解元素半导体、化合物半导体、半导体固溶体概念和种类。
2 )、了解化合物半导体器件的发展方向。
3 )、理解化合物半导体材料的晶格结构、化学键和极化。
4 )、掌握化合物半导体材料的能带结构、施主和受主能级以及载流子迁移率。
重点:掌握化合物半导体材料的能带结构、施主和受主能级。
难点:掌握化合物半导体的载流子迁移率。
第二章 半导体异质结
主要教学内容:(1)、异质结的形成;(2 )、异质结的能带图;(3 )、突变异质结的伏安特
性和注入特性;(4 )、异质结的超注入现象;(5 )、二维电子气的形成及能态;(6 )、多量子阱
与超晶格。
教学要求:
1)、理解异质结的概念。
2 )、理解异质结的能带图。
3 )、了解二维电子气的形成和能态。
重点:掌握半导体异质结能带结构。
难点:量子阱与二维电子气。
第三章 异质结双极晶体管
主要教学内容:(1)、异质结双极晶体管的基本结构;(2 )、异质结双极晶体管的增益,异
质结双极晶体管的频率特性;(3 )、先进的异质结双极晶体管。
教学要求:
1)、掌握异质结双极晶体管的基本结构。
2 )、了解异质结双极晶体管的增益特性。
3 )、掌握异质结双极晶体管的频率特性。
4 )、了解先进的异质结双极晶体管。
重点:异质结双极晶体管的增益。
难点:异质结双极晶体管的频率特性。
第四章 化合物半导体场效应晶体管
主要教学内容:(1)、金属半导体肖特基接触;(2 )、金属半导体场效应晶体管;(3 )、
调制掺杂场效应晶体管。
教学要求:
1)、了解金属半导体肖特基接触的基本模型。
2 )、掌握金属半导体肖特基接触的能带结构。
3 )、了解金属半导体场效应晶体管的器件结构和特性。
重点:金属半导体肖特基接触的能带结构,金属半导体场效应晶体管的工作原理。
难点:金属半导体场效应晶体管的噪声理论。
第五章 半导体光电子器件
主要教学内容:(1)、半导体的光学性质;(2 )、太阳能电池;(3 )、光电探测器件;
(4 )、发光二极管和半导体激光器。
教学要求:
1)、了解光的本质。
2 )、掌握半导体的辐射跃迁,半导体光吸收原理和光伏效应。
3 )、掌握太阳能电池 pn 结电流- 电压特性。
4 )、掌握光电探测器件的原理和结构。
5 )、理解发光二极管和半导体激光器的特性。
重点:掌握半导体的辐射跃迁,半导体光吸收原理和光伏效应;掌握太阳能电池 pn 结电流- 电
压特性。
难点:掌握光电探测器件的原理和结构;理解发光二极管和半导体激光器的特性。
第六章 宽带隙化合物半导体器件(6 学时)
主要教学内容:(1)、宽带隙半导体材料基本特性;(2 )、碳化硅器件及其应用;(3 )、氮
化镓器件及其应用;(4 )、其他宽带隙半导体器件
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