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《微电子技术基础》课程教学大纲 课程代码： ABJD0508 课程中文名称:微电子技术基础 课程英文名称： Fundamental of Microelectronics 课程性质：必修 课程学分数：3学分 课程学时数：48学时 授课对象：电子科学与技术专业 本课程的前导课程：半导体物理 一、课程简介 《微电子技术基础》是电子科学与技术专业设立的一门专业核心课。本课程从物理概念入手，结合工程实例，介绍半导体集成器件物理、集成工艺原理，以及集成电路和系统的设计特点与方法，对学生进行微电子技术方面的全方位教育，为以后参与微电子系统研制工作奠定必要的理论基础。 二、教学基本内容和要求 1、 概论 在前期学习了《半导体物理》的基础上，了解本课程与《半导体物理》、《微电子制造技术》之间的关系；了解微电子技术和集成电路的发展历程；了解集成电路的结构与制造特点。 2、 集成器件物理基础 教学内容：半导体及其能带模型；半导体导电性与半导体方程；pn结和pn结二极管；双极型晶体管；JFET与MESFET器件基础；MOS场效应晶体管；异质结半导体器件。 重点：半导体中的电流；半导体基本方程；平衡状态下的pn结；pn结的单向导电性；pn结直流伏安特性；双极型晶体管的直流放大原理；晶体管的特性参数及其影响因素；JFET与MESFET器件结构与电流控制原理；MOS场效应晶体管结构与工作原理；异质结半导体器件。 难点：半导体中的电流； pn结的单向导电性；pn结直流伏安特性；双极型晶体管的直流放大原理：晶体管的特性参数及其影响因素；JFET与MESFET器件结构与电流控制原理；MOS场效应晶体管结构与工作原理。 教学要求：掌握半导体的能带模型；掌握半导体中的载流子与电流组成；掌握半导体中的非平衡载流子与载流子寿命；掌握半导体基本方程；理解平衡状态下的pn结；理解并掌握pn结的单向导电性；掌握pn结直流伏安特性；掌握pn结的击穿；了解pn结的等效电路模型及其应用；理解并掌握双极型晶体管的直流放大原理；理解并掌握晶体管的各个特性参数及其相应的影响因素；了解并掌握JFET与MESFET器件结构与电流控制原理；理解JFET直流输出特性的定性分析与转移特性；理解并掌握MOS场效应晶体管结构与工作原理；掌握MOS晶体管直流伏安特性定量分析；了解并理解异质结半导体器件的特点、组成与发展趋势。 3、集成电路制造工艺 教学内容：硅平面工艺基本流程；氧化工艺；扩散工艺；离子注入工艺；光刻与刻蚀工艺；制版工艺；外延工艺；金属化工艺；引线封装；隔离技术；绝缘物上硅；CMOS集成电路工艺流程。 重点：氧化工艺；扩散工艺；离子注入工艺；光刻与刻蚀工艺；外延工艺，CMOS集成电路工艺流程。 难点：氧化工艺；扩散工艺；离子注入工艺；光刻与刻蚀工艺；外延工艺。 教学要求：了解硅平面工艺基本流程；理解并掌握半导体器件生产工艺的基本原理——“掺杂”与“补偿”；了解氧化工艺流程，掌握提升氧化层质量的方法；了解扩散工艺流程，掌握氧化层的检测方法与提升质量的途径；了解离子注入工艺设备与流程，掌握离子注入退火处理；了解并理解光刻与刻蚀工艺流程，了解新型图形光刻技术；了解制版工艺；了解并理解多种外延工艺；掌握几种常见的金属化工艺；了解引线封装技术；了解隔离技术；了解绝缘物上硅；了解并理解CMOS集成电路工艺流程。 4、 集成电路设计 教学内容：集成电路版图设计规则；集成电路中的无源元件；双极集成器件和电路设计；CMOS集成器件和电路设计。 重点：集成电路版图设计规则；集成电路中的无源元件；双极集成器件和电路设计。 难点：集成电路中的无源元件；双极集成器件和电路设计。 教学要求：了解并掌握集成电路版图设计规则；理解集成电路中无源元件的结构与性能；掌握双极集成器件和电路设计，了解CMOS集成器件和电路设计。 5、微电子系统设计 教学内容：双极数字电路单元设计； CMOS数字电路单元电路设计；半导体存储器电路；专用集成电路设计方法。 重点：双极数字电路单元设计； CMOS数字电路单元电路设计；半导体存储器电路。 难点：双极数字电路单元设计； CMOS数字电路单元电路设计。 教学要求：了解并掌握双极数字电路单元设计；掌握CMOS数字电路单元电路设计；了解并掌握半导体存储器电路；了解专用集成电路设计方法。 6、电子设计自动化 教学内容：电子设计自动化EDA；数字EDA技术；数字集成电路设计平台，相应的设计实例；模拟与射频集成电路CAD技术；工艺和器件模拟以及统计分析。 重点：电子设计自动化EDA；数字EDA技术；数字集成电路设计平台，相应的设计实例；模拟与射频集成电路CAD技术。 难点：电子设计自动化EDA；数字EDA技术；数字集成电路设计平台，相应的设计实例；模拟与射频集成电路CAD技术。 教学要求：