模拟电子技术的复习.pptxVIP

N型半导体和P型半导体;本征半导体; 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。; 在通常情况下，本征半导体中载流子的数量是极其微弱的，其导电能力很差。 当温度增加，或受其他能量的激励（如光照），电子的运动加剧，载流子的数目增加，导电性能也就愈好，所以温度对半导体器件的性能影响很大。;1.1.2 N型半导体和P型半导体; P型半导体; 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。;空间电荷区; 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。;1.1.4 PN结的单向导电性;外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走;由上述分析可知：;1.2 半导体二极管;第1章;1.2.2 二极管的伏安特性;1.2 晶体三极管(BJT) Bipolar Junction Transistor ;1.2.1 基本结构;1.2.2 电流分配和电流放大原理;三极管的电流控制原理;由上所述可知:; 特性曲线;O;晶体管输出特性曲线分三个工作区; 晶体管三个工作区的特点:; 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。; 1． UDS=0，UGS＞0;? NMOS管和PMOS管的通断条件; （1）当UGS=0时，RDS可达到106Ω。当UGS增加时，RDS减小，最小可达到10Ω左右，因此，MOS管可看成由电压控制的电阻。