半导体物理与器件（吕淑媛第2版） 习题答案 第八章习题答案.docx

PAGE 256 半导体物理与器件（第2版） PAGE 255 第八章习题答案 1．说明晶体管中的基区为何很薄。 答：以NPN晶体管为例，基区是联系两个pn结的重要区域，若基区宽度远大于电子在p区的扩散长度，则发射区注入的电子在基区几乎都会复合，此时同一晶体管中的两个pn结没有联系，与两个相邻的背靠背pn结没有差别。这里设计基区的长度远小于电子在p型基区中的扩散长度，于是从发射区注入的电子还没来得及扩散就已运动至反偏集电结的耗尽区，进入耗尽区的电子会被集电结的强电场漂移而进入集电区，成为集电极电流，实现放大。 2．画出PNP晶体管在热平衡状态和放大工作状态下的能带图，并据此分析其工作原理。 03．某NPN晶体管的发射极、基极和集电极的掺杂浓度分别为和。(a)比较该晶体管正向放大和反向放大时的发射效率；(b)比较该晶体管正向放大和反向放大时基区宽度调制的敏感度。 答：根据发射效率的计算公式，其等于，其中分母中与1加的部分约等于Pe0/Nb0 Pe0，Nb0分别代表发射区的空穴浓度和基区的电子浓度，正向放大时的发射效率等于1/(1+0.01)约等于1，反向放大时发射效率约为1/(1+11),其值较小， 04．一个NPN晶体管的基区参数如下：,,，发射结面积为，分别计算时的集电极电流。 答：根据Ic的公式IC=eADnb 05．在某NPN晶体管中测得如下电流：,,, ，求其 答