半导体物理与器件（吕淑媛第2版） 习题答案 第七章习题答案.docx

第七章习题答案 1.解答：金属费米能级与真空能级的差为金属的功函数；半导体的功函数为半导体的费米能级与真空能级之差。半导体功函数与材料、掺杂和温度等有关。 2.解答：N型阻挡和反阻挡分别为图1（a）(b), P型阻挡和反阻挡分别为图2（a）(b)所示。 （b） 图1金属和n型半导体的接触（a）WmWs;(b) WmWs 图 图2 金属和p型半导体的接触（a）WmWs;(b) WmWs 3.解答：欧姆接触是区别于整流接触的，正向反向接触电阻都很小。当的金属与n型半导体的接触和的金属与p型半导体的接触可以形成欧姆接触。但在实际中，由于表面态的存在很难通过金属材料功函数的选择来获得欧姆接触。为了保证低阻抗的欧姆接触，在实际中可以将半导体进行重掺杂。在pn结的讨论中，我们知道，一侧半导体掺杂浓度的增加会导致势垒区宽度的减小。在金属半导体接触中也有类似的规律，随着半导体掺杂浓度的不断增加，势垒区宽度即能带弯曲的部分变得非常窄，很容易发生隧道效应。电子可以在金属和半导体之间流动。此时虽然势垒仍然存在，但由于重掺杂导致的隧道效应，并不影响电子的流动。 4.解答：按照已知的条件，结合前面对肖特基势垒的定义，可得 对于n型半导体而言 内建电势差为 空间电荷区宽度为 最大电场强度为 5．解答：根据题目要求，先要算