半导体物理与器件（吕淑媛第2版） 习题答案 第六章习题答案.docx

名词解释： 光刻胶：（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过 紫外光、 电子束、 离子束、 X射线等的照射或辐射后，其 溶解度发生变化的耐蚀薄膜材料。其是由 感光树脂、 增感剂和 溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。 正胶：在光刻胶工艺过程中，若涂层经过曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，则该涂层材料为 正性光刻胶。 负胶：在光刻胶工艺过程中，若涂层经过曝光、显影后，曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为 负性光刻胶。 外延：是指在单晶衬底上生长单晶薄膜的工艺，相当于是衬底结构的一种延展。 扩散：是指在集成电路工艺中，为了掺杂，通过浓度梯度的作用，杂质从半导体外部的高浓度一侧向半导体内部的低浓度一侧的自发转移实现掺杂的过程。 离子注入：是将杂质离子加速至较高速度通过对半导体的轰击停留在半导体内部从而实现掺杂的方法。 化学气相沉积：参与的气体通过化学反应在衬底上生长沉积薄膜的一种方法。 刻蚀：是与 光刻?紧密联系的 图形化处理的一种工艺。所谓刻蚀，在通过光刻将 光刻胶进行光刻曝光处理后，然后通过其它方式实现腐蚀处理，去掉所需除去的部分的过程。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。 请说明扩散和离子注入这两种常见的掺杂工艺对应