半导体物理与器件(吕淑媛第2版) 习题答案 第四章习题答案.docx

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第四章课后题答案 产生率定义为单位体积单位时间内载流子增加的数目。通常用Gn和Gp分别表示电子和空穴的产生率(其中G来自产生英文单词generation的首字母)。复合率定义为单位体积单位时间内载流子湮灭的数目。通常用Rn和Rp分别表示电子和空穴的复合率(其中R来自产生英文单词recombination的首字母)。二者的单位均为个/cm3.s,决定产生率的因素是外界的能量源,决定复合率的因素是导带电子浓度和价带空穴浓度的乘积。 ,=, (b) 是非平衡状态,虽然它在目前这种状态下保持载流子浓度不随时间变化,这一点与热平衡状态的半导体很相似,但是判断半导体是否热平衡还有一个主要判据np是否等于ni2,很明显此时npni t? t ? G τ 6、a)平衡空穴浓度n b)由题目要求Gτ= c)0 d)? e)A 7、 ?p J 8、(a)平衡空穴浓度n (b)G (c)1010 (d)在x0的区域满足的稳态双极输运方程的形式为 ?? 在x0的区域满足稳态方程形式为A ? 两个方程的解分别为 ? ? 假设样品无限大,x趋于正负无穷,?p趋于零,则由B=0,C 同时考虑到在x=0处,p(x)及其一阶导数连续可得 A=

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