半导体物理与器件（吕淑媛第2版） 习题答案 第三章习题答案.docx

第三章习题答案 1、在半导体中载流子输运的两种机制是什么？ 答：对于半导体中的两种载流子导带电子和价带空穴而言，存在两种能导致其运动的机制分别是：外加电场作用下的漂移运动（由于载流子带电，在电场的作用下受到电场力的作用而运动）；浓度梯度作用下载流子的扩散运动（由于各种原因导致出现载流子分布的不均匀，系统为向平衡状态过渡出现的由高浓度一侧向低浓度一侧的运动）。 2、说明为什么电子和空穴的迁移率是不同的。 答：迁移率是衡量载流子在单位电场强度的作用下获得平均漂移速度大小的物理量。导带电子和价带空穴本质上是导带电子和价带电子，由于一个是摆脱共价键束缚的较自由电子，另一个是仍受共价键束缚只可在共价键的等价位置之间运动的电子，因此相比较而言，导带电子更容易改变其运动状态，在相同的外加电场的作用下获得更大的平均漂移速度，故导带电子具有较大的迁移率；或者从公式μn=eτ 已知T=300K时，低掺杂的硅样品的电子迁移率为1359 (a)计算电子两次碰撞之间的时间间隔 (b)若对其施加了600V/cm的电场，则两次碰撞之间电子的平均漂移的距离是多少 答：(a）根据迁移率的公式μn=e τ (b)根据其施加的电场，在这样的电场下获得的平均漂移速度为1359cm2V 4、在T=300K时，本征半导体硅材料掺入了施主杂质，掺杂浓度为1×1015cm- 答：根据题目给出的条件，为n型半导体处于完全电离区，故