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本实用新型公开了具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN‑on‑Si外延基板，在硅晶圆基板上具有多晶向的2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层至少具有一顶层；顶层晶格常数与AlN、AlGaN或GaN高度匹配；2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有GaN单晶外延层，或者，2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有AlGaN或AlN成核辅助层，再在成核辅助层上具有GaN单晶外延层。本实用新型有效克服异质外延晶格不匹配导致氮化镓层缺陷质量问题；缓解部分因热膨胀系数不同导致的热应力问题，有利于用来进
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212967721 U
(45)授权公告日 2021.04.13
(21)申请号 202022460792.4
(22)申请日 2020.10.29
(73)专利权人 王晓靁
地址 中国
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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