GPP玻璃钝化二极管产品制程简介.pptVIP

GPP芯片制程简介 GPP芯片工艺流程图 Wafer Clean (晶片清洗) N 目的：除去硅片表面的污物和异物. 控制项目 控制方法 责任部门 18：1：1浸洗时间检查频次 预清控制记录表 制造部 18：1：1浸洗温度检查频次 预清控制记录表 制造部 清洗后晶片存放时间 流程单 制造部 Phos. Pre-Deposition 磷扩散 (预扩散) N N+ 磷 目的：形成一定厚度符合欧姆接触要求N+层，实现P+-N-N+结构控制基区宽度到规定范围. 控制项目 控制方法 责任部门 磷扩温度/时间检查频次 扩散生产控制记录 制造部 N2/O2流量检查频次 扩散生产控制记录 制造部 扩散炉温度测量 炉温测试记录 工程部 Sand Blasting (吹砂) N N+ 磷 在此面吹砂 目的：去除磷扩散所产生的磷硅玻璃. 控制项目 控制方法 责任部门 空气压力确认 表面吹砂记录表 制造部 Boron Diffusion 硼扩散(再扩散) N N+ P+ 磷 硼 目的：形成一定厚度符合欧姆接触要求P+层，实现P+-N-N+结构控制基区宽度到规定范围. 控制项目 控制方法 责任部门 硼扩温度/时间检查频次 扩散生产控制记录 制造部 N2/O2流量检查频次 扩散生产控制记录 制造部 扩散炉温度测量 炉温测试记录 工程部 Sand Blasting (吹砂)