SKY肖特基二极管培训资料.pptxVIP

;1.1肖特基二极管产品技术分类;1.2 PBR – 改良后的MBR肖特基;TBR与PBR一样通过肖特基接触获得低的正向导通电压VF 在反偏状态时，MOS结构产生耗尽区，当完全反偏时，相临MOS的耗尽区与肖特基势垒的耗尽区完全交迭，从而可以获得比PBR更高的耐压特性;TBR的沟道MOS结构通过漂移区的电耦合效应，将强电场从肖特基金属表面转移到硅的深沟处，显著的减少了器件表面的漏电效应，从而在低VF的同时可以得到更低的IR;1.5 PMR – MOS结构的体二极管;;;;;;;;;2.测试与应用;2.测试与应用;;;;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;2.测试与应用;;;;;;;;;;;Thank You !