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- 2023-03-02 发布于四川
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平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。本实用新型涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。提供了一种不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。本实用新型通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺，实现在栅极下方部分区域（宽度5um~10um）形成厚度较厚（大于2000A）的栅氧层，从而有效的减小米勒电容。栅极下方其余区域仍为常规栅氧厚度（1200A），这部分区域刚好是电子电流和和空穴电流
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213071147 U
(45)授权公告日 2021.04.27
(21)申请号 202022422950.7
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 上海菱芯半导体技术有限公司
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