STM8S系列单片机原理与应用(第四版) 课件第3章 存储器系统及访问.pdf

P A N 第3章存储器系统及访问 第3章存储器系统及访问 3.1 存储器结构 3.2 存储器读写保护与控制寄存器 3.3 Flash ROM存储器IAP编程 2023/3/3 STM8S系列单片机原理与应用(第四版) P A N 第3章存储器系统及访问 3.1 存储器结构 在STM8 内核系列MCU 中，RAM存储区、EEPROM 存储区、引导ROM存储区、FlashROM存储区，以及与外 设有关的寄存器(包括了外设控制寄存器、状态寄存器、 数据寄存器)均统一安排在16MB线性地址空间内(即内部 地址总线为24bit) ，如图3.1.1所示。这样无论是RAM 、 EEPROM 、FlashROM ，还是外设寄存器，其读、写指令 的格式与操作数的寻址方式等均完全相同。 2023/3/3 STM8S系列单片机原理与应用(第四版) 2023/3/3 STM8S系列单片机原理与应用(第四版) P A N 第3章存储器系统及访问 段：16MB存储空间以段(Section)形式组织，每段大小为64KB,其 中高16位地址b23-b16视为段地址，b15-b0视为段内存储单元编号。 于是00段的物理地址为00 0000H～00 FFFFH 。 在STM8 内核CPU指令系统中，00段内的储存单元支持多种寻址方 式，许多指令可直接访问00段内的存储单元，而01及以上段存储单 元只能通过“LDF ”指令访问，程序设计灵活性受到了限制。 为减小指令码长度，RAM 、EEPROM存储区被安排在00段内，这 样堆栈指针SP长度就可以缩减为16位；位于00段内的各存储单元 也能用16位地址形式访问。 页：16MB存储空间也可以按页(Page)形式组织，其中b23-b8被视 b7-b0为页内存储单元字节编号。 位于0000页内的存储单元(即RAM空间内的前256字节)就可用8位地 址形式访问。 2023/3/3 STM8S系列单片机原理与应用(第四版) P A N 第3章存储器系统及访问 在STM8 内核MCU 中，存储单元内的字、双字( 由四 个字节组成)等的存放规则是高位字节存放在低地址中， 而低位字节存放在高地址中，即采用“大端”方式，如图 3.1.2(a)所示。 CPU 数据总线 [D15～D0] CPU 数据总线 [D15～D0] [D15 ～D8] [D7 ～D0] [D7 ～D0] [D15 ～D8] b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 存储器 30H单元(低地址) 存储器 31H单元(高地址) 存储器 30H单元(低地址) 存储器 31H单元(高地址) (a) 大端方式 (b)小端方式 LDW X, 0100H ;将0100H单元内容送XH寄存器；将0101H单元内容送XL寄存器(对齐) LDW X, 0101H ;将0101H单元内容送XH寄存器；将0102H单元内容送XL寄存器(非对齐) 2023/3/3 STM8S系列单片机原理与应用(第四版) P A N