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- 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型实施例提供了一种半导体器件的外延结构及半导体器件，所述外延结构包括衬底；位于所述衬底一侧的外延层，所述外延层包括位于所述衬底一侧的成核层以及位于所述成核层远离所述衬底一侧的缓冲层，其中，所述缓冲层的厚度与所述成核层的厚度成反比例关系。采用上述技术方案，通过设置成核层的厚度与缓冲层的厚度成反比例关系，保证外延结构中成核层的热阻不变高的情况下提升成核层的晶体质量，进而提升外延结构的质量以及半导体器件的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212169 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022206942.9
(22)申请日 2020.09.30
(73)专利权人 苏州能讯高能半导体有限公司
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