双极性集成电路的ESD保护.docxVIP

双极性集成电路的 ESD 保护 集成电路需要抗静电保护电路，一些保护电路是内置的，一些保护措施则来自具体的应用电路。为了正确保护IC，需要考虑以下内容： 对IC 造成ESD 的传递模式 IC 内部的ESD 保护电路 应用电路与Ic 内部ESD 保护的相互配合 修改应用电路提高IC 的 ESD 保护能力 IC 内部的 ESD 保护可以阻止传递到芯片内部敏感电路的较高能 量，内部钳位二极管用于保护 IC 免受过压冲击。应用电路的外部去耦电容可将ESD 电压限制在安全水平。然而，小容量的去耦电容可能影响 IC 的保护电路。如果使用小去耦电容，通常需要外部ESD 电压钳位二极管。 ESD 传递模式 ESD 电平用电压描述，这个电压源干与 IC 相连的电容上的储存电荷。一般不会考虑有上千伏的电压作用于 IC。为了评估传递给 IC 的能量，需要一个放电模型的测试装置。 ESD 测试中一般使用两种充电模式(图 1)，人体模式(HBM)下将电荷储存在人体模型(100pF 等效电容)中，通过人体皮肤放电(1.5kΩ 等效电阻)。机器模式(MM)下将电荷储存在金属物体，机器模式中的放电只受内部连接电感的限制。