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Flash芯片的种类与区别 一、IICEEPROM IICEEPROM，采用的是IIC通信协议。 IIC通信协议拥有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半 双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢掉，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数特别之多，一个地点位可重复擦写 的理论值为100万次，常用芯片型号有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常有的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等； 二、SPINorFlash SPINorFlash，采用的是SPI通信协议。有4线(时钟，两个数据线，片选线)或许3线(时钟，两个数据线) 通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的IICEEPROM的读写速度上要 快好多。SPINorFlash拥有NOR技术FlashMemory的特点，即程序和数据可寄存在同一芯片上，拥有独 立的数据总线和地点总线，能迅速随机读取，允许系统直接从  Flash  中读取代码履行；能够单字节或单字 编程，但不能单字节擦除，必须以  Sector  为单位或对整片履行擦除操作，  在对存储器进行从头编程以前需 要对  Sector  或整片进行预编程和擦除操作。 NorFlash在擦写次数上远远达不到IICEEPROM，并且由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢， 块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPINorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连结，操作方便，并且能够在芯片上直接运行代码，其稳定性优秀，传输速率高，在小容量时拥有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASHROM，所以在市场的占用率特别高。 常有到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是  SPINorFlash  ，其常有的封装多为  SOP8，SOP16，WS ON8，US0N8，QFN8、BGA24等。 三、ParallelNorFalsh(CFIFlash) ParallelNorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信协议。拥有独立的数据线和地点总 线，它同样继承了  NOR技术  FlashMemory  的所有特点；由于采用了  Parallel  接口，  ParallelNorFalsh 相对于  SPINorFlash,  支持的容量更大，读写的速度更快，可是由于占用的地点线和数据线太多，在电路 电子设计上会占用好多资源。  ParallelNorFalsh  读写时序近似于  SRAM，只是写的次数较少，速度也慢， 由于其读时序近似于SRAM，读地点也是线性构造，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。 常有到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF020等型号都是ParallelNorFlash，其常有的封装多为TSSOP3 2、TSOP48、BGA64，PLCC32等。 四、ParallelNandFlash ParallelNandFlash同样采用了Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种种类：SLC、 MLC、TLC。 NandFlash技术FlashMemory拥有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作； 拥有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bitcost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影 响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略! 对照ParallelNorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的 性能，更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数 据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大多数的U盘都是使用NandFlash，当 前NandFlash在嵌入式产品中应用仍旧极为宽泛，因此坏块管理、掉电保护等举措就需要依靠NandFlash 使用厂家经过软件进行完善。 常有到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型号都是 多为TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。  ParallelNandFlash  ，其常有的封装 五、SPINandFlash SPINandFlash，采用了  SPINorFlash  同样的