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高斯光束在二维光折变晶格中的传输特性 近些年来，二维光折变晶格（2DCG）已经引起了越来越多的关注，它有一个分层构造，能够应用到任何常规的准分子图形结构，并能够改变电子信号的路径，以实现信号的转化。在涉及到光在2DCG中的传输时，高斯光束（Gaussian beams）可用来模拟光照射到2DCG中。 关于高斯光束在2DCG中的传输特性，有大量的研究工作已经被做出。首先，不同的入射角对高斯光束在2DCG中的传输行为有着不同的影响，在角大于折射率差的一定角度时，高斯光束会通过自发辐射，将一部分能量从准分子图形结构中爆散出来；同时，若入射角小于这个特定角度，准分子图形结构表面处的曲率效应会限制高斯光束的向切及入射角，也会限制它在2DCG中的行径。 此外，随着高斯光束进入2DCG晶格，其能量会逐渐在Y方向减小。这是由于缺口两侧的折射构筑，使得光被强行扩散到Y方向，而不是默认的X方向。而随着入射角的增大，这种扩散效应会更加显著，从而导致光束在Y方向的衰减变慢。 最后，入射功率越大，高斯光束在2DCG中的传导距离也越长。而由于2DCG中最小可表示的距离为准分子结构的步长，因此当入射功率越大，它的衰减也越大，光的传输距离也就越短。 总的来说，高斯光束在2DCG中的传输特性，受到了入射角、入射功率以及准分子结构的步长等方面的影响。而且，它的特性有较强的模型性，对2DCG的相关研究能够提供一定的辅助作用。