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相变存储器电性能测试方法 1 范围 本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性 能测试包括电流- 电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠 性测试包括耐久性和数据保持时间。 本文件适用于相变存储单元器件（以下简称器件）。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 17574 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 33657 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 3 术语和定义 GB/T 17574 和GB/T 33657 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 置位 set 通常施加一个宽度较宽且幅度适中的电脉冲，使相变材料温度升高到结晶温度以上、熔化温度以下， 并且保持一定的时间，使晶体成核生长，实现相变材料由非晶态向多晶态的转化，进而实现相变存储单 元阻值降低，即置1操作。使相变存储器件置入不表示零的规定状态的置位（SET）操作。 [来源：GB/T 17574-1998，1.2.2 1，有修改] 3.2 复位 reset 通常施加一个宽度较窄而幅度较高的电脉冲，电能转变成热能,使相变材料温度迅速升高到熔化温 度以上，然后经过快速冷却，使多晶的长程有序排列遭到破坏，锁定在短程有序排列上，实现由多晶态 向非晶态的转化，进而实现相变存储单元阻值升高，即置0操作。使相变存储器件恢复到规定的不必一 定表示零的初始状态的复位（RESET ）操作。 [来源：GB/T 17574-1998，1.2.22 ，有修改] 3.3 读操作 read 1 指施加一个宽度适当而幅度较小的电脉冲，通过测量相变单元的电阻值是高或低来判断其存储的数 据，由于读取时不能改变相变存储器单元的状态，因此施加一个幅值较小的电脉冲，使其产生的热量不 使相变材料的温度上升到结晶温度以上。读取相变存储单元存储状态的操作。 3.4 直流电流—电压特性 dc current-voltage characteristic 通过相变存储器件的直流电流与器件两端直流电压两者之间的关系，用于表征相变存储器阈值开关 行为。 3.5 存储窗口 memory window 相变存储器的高低阻态阻值之比。 3.6 置位时间 set-time 使相变存储器件发生SET操作的最小脉冲宽度。 3.7 置位电压 set-voltage 使相变存储器件发生SET操作的最小脉冲幅值。 3.8 复位时间 reset-time 使相变存储器件发生RESET操作的最小脉冲宽度。 3.9 复位电压 reset-voltage 使相变存储器件发生RESET操作的最小脉冲幅值。 3.10 耐久性 endurance 对相变存储器进行反复复位置位，直到高低阻态之间的动态范围不能满足正确的数据读取所经过的 复位置位循环数量。 3.11 数据保持力 data retention 非易失性存储器长期保存数据的能力。一般保持时间以85℃下保持10年来作为标准。主要是通过 加速测试和数据统计预测其可靠性。相变存储器的数据保持力可以通过高温累积实验进行测量。根据 2 Arrhenius模型，在高温环境下，累积测试存储单元的失效时间，温度与累积时间适合于Arrhenius方程， 如公式（1）。 E t= exp( a ) （1） k T B 式中，t为数据保持时间，τ为比例时间常数，E 是反应活化能，k 为玻尔兹曼常数，T为热力学绝对