1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种提高半导体器件台面耐压结构.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约5.72千字
  • 约 7页
  • 2023-03-18 发布于北京
  • 举报

一种提高半导体器件台面耐压结构.pdf

    一种提高半导体器件台面耐压结构，包括形成PN结的至少一个P区和一个N区；在P区和N区的侧面为台面区域，在所述台面区域沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层局部区域上沉积有一层高介电常数材料层，在所述高介电常数材料层和绝缘层上设置有保护层；所述高介电常数材料层覆盖台面处电场峰值区域。本发明的有益效果：首先，可以有效改善台面区的电场分布，降低台面区的电场峰值；其次，引入高介电常数层，可以弥补台面磨角工艺误差引入的不利影响，保证器件的成品率，提升器件可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213692060 U (45)授权公告日 2021.07.13 (21)申请号 202023265017.X (22)申请日 2020.12.30 (73)专利权人 陕西半导体先导技术中心有限公

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >