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一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器.pdfVIP

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  • 2023-03-27 发布于四川
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一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器.pdf

    本实用新型提供一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，涉及电容器领域，包括外壳，所述缠绕层的中部连接有金属镀膜处理层。本实用新型中，通过时效处理工艺，将屏蔽带所产生的留边上残存少量的屏蔽油处理掉，通过温度50℃±5℃，湿度≤20%，时间30H±6H，使金属化膜内部的晶体结构更趋于稳定，内部的多余油渍提前挥发沉积，在后续的生产过程不会由于其他各方面的因素而导致内部晶体结构变化。所以，经过此工艺处理后的薄膜它的性能更加优越，有效降低电容器的功耗。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213958786 U (45)授权公告日 2021.08.13 (21)申请号 202023130278.0 (22)申请日 2020.12.23 (73)专利权人 佛山市欣源电子股份有限公司

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