西电微电子复试题.docxVIP

. . . . . . . . . . . . 微电子概论面试 1.什么是N 型半导体？什么是P 型半导体？如何获得？ 答：①依靠导带电子导电的半导体叫 N 型半导体，主要通过掺诸如 P、Sb 等施主杂质获得；②依靠价带空穴导电的半导体叫 P 型半导体， 主要通过掺诸如B、In 等受主杂质获得；③掺杂方式主要有扩散和离子注入两种；经杂质补偿半导体的导电类型取决于其掺杂浓度高者。2.简述晶体管的直流工作原理。 答：根据晶体管的两个 PN 结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN 晶体管为例说明载流子运动过程； ① 射区向基区注入电子；正偏的发射结上以多子扩散为主，发射区向基区注入电子，基区向发射区注入空穴，电子流远大于空穴流； ② 基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子， 故存在载流子复合，但因基区很薄且不是重掺杂，所以大部分电 子能到达集电结边缘； ③ 集电区收集自由电子：由于集电结反偏，从而将基区扩散来的电子扫入集电区形成电子电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空穴组成，但很小，可以忽略。 简述MOS 场效应管的工作特性。 答：以 N 沟增强型 MOS 为例，把 MOS 管的源漏和衬底接地，在栅极上加一足够高的正电压，从静电学的观点来看，这一正的栅极电压将要排斥栅下的