霍尔效应实验报告.docVIP

【摘要】随着电子技术的发展,霍尔效应不单是测定半导体材料电学参数的主要手段,利用霍尔效应制成的霍尔器件凭借其结构简单、频率响应宽(高达1０GＨz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一,通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率能够判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。本文重点对霍尔电压(VH)与工作电流(IＳ)、霍尔电压(ＶH)与磁场的关系进行实验探究,进一步深入了解霍尔效应的机理、??　　【关键词】霍尔器件;霍尔电压;霍尔效应;实验探究? 一、测量磁场的霍尔效应法的基本原理?　　霍尔效应是指运动的电荷在磁场中受力的一种效应。通以电流的半导体试样置于磁场中,假如电流方向与磁场方向垂直,即在Ｘ方向通以电流IS,在Z方向加磁场B,则在Y方向就开始聚集异号电荷、?　　当电场与磁场对电流的作用达到平衡时,两极板间由于电荷的聚集就具有电位差VH,此过程在极短暂的时间内(1０－１３—10—11s)就可完成。此现象是霍尔于１87９年发现的,故称为霍尔效应、(VH为霍尔电压)?? 霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚集,从而形成附