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CMOS 集成电路制造工艺流程 陕西国防工业职业技术学院 课程报告 课 程 微电子产品开发与应用 论 文 题 目 CMOS 集成电路制造工艺流程 班 级 电子 3141 姓名及学号 王京(24#) 任 课 教 师 张喜凤 CMOS 集成电路制造工艺流程 目录 摘要 2 引言 2 关键词 2 1 、 CMOS 器件 2 1 、1 分类 2 2 、CMOS 集成技术发展 3 3 、CMOS 基本的制备工艺过程 3 3 、1 衬底材料的制备 3 4、主要工艺技术 4 5、光刻 4 6 、 刻蚀 4 6 、1 湿法刻蚀 4 6 、2 干法刻蚀 4 7 、CMOS 工艺的应用 4 举例 5 CMOS 集成电路制造工艺流程 CMOS 集成电路制造工艺流程 摘要:本文介绍了 CMOS 集成电路的制造工艺流程,主要制造工艺及各 工艺步骤中的核心要素,及 CMOS 器件的应用。 引言:集成电路的设计与测试就是当代计算机技术研究的主要问题之 一。硅双极工艺面世后约 3 年时间,于 1962 年又开发出硅平面 MOS 工艺技术,并制成了 MOS 集成电路。与双极集成电路相比,MOS 集成 电路的功耗低、结构简单、集成度与成品率高,但工作速度较慢。由 于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺与 MOS 集成工艺便齐头平行发展。 关键词:工艺技术,CMOS 制造工艺流程 1. CMOS 器件 CMOS 器件,就是 NMOS 与 PMOS 晶体管形成的互补结构,电流小,功耗低,早期 的 CMOS 电路速度较慢,后来不断得到改进,现已大大提高了速度。 1 、1 分类 CMOS 器件也有不同的结构,如铝栅与硅栅CMOS、以及p 阱、n 阱与双阱CMOS。 铝栅 CMOS 与硅栅 CMOS 的主要差别,就是器件的栅极结构所用材料的不同。P 阱 CMOS,则就是在 n 型硅衬底上制造 p 沟管,在 p 阱中制造 n 沟管,其阱可采用外延 CMOS 集成电路制造工艺流程 法、扩散法或离子注入方法形成。 该工艺应用得最早,也就是应用得最广的工艺, 适用于标准 CMOS 电路及 CMOS 与双极 npn 兼容的电路。 N 阱 CMOS,就是在p 型硅 衬底上制造 n 沟晶体管,在 n 阱中制造 p 沟晶体管,其阱一般采用离子注入方法形 成。该工艺可使NMOS 晶体管的性能最优化,适用于制造以 NMOS 为主的CMOS 以及 E/D－NMOS 与 p 沟MOS 兼容的 CMOS 电路。 双阱 CMOS,就是在低阻 n＋衬底上再外 延一层中高阻 n ――硅层,然后在外延层中制造 n 阱与 p 阱,并分别在 n、p 阱中 制造 p 沟与 n 沟晶体管,从而使 PMOS 与 NMOS 晶体管都在高阻、低浓度的阱中形 成,有利于降低寄生电容,增加跨导,增强p沟与n沟晶体管的平衡性,适用于高性 能电路的制造。 2 、CMOS 集成技术发展 从 MOS 工艺集成技术发展历史上瞧,也经历了从简单到复杂的发展过程,如 陆续推出了 p 沟硅栅 MOS 工艺、 p 沟铝栅 MOS 工艺、 n 沟硅栅MOS 工艺、 n 沟硅 栅 E/DMOS 工艺、 高性能短沟 MOS(HMOS)工艺等,它们都各具优劣势,在不同时期、 不同领域得到了应用。 随着集成电路的集成度提高,功耗问题日益突出,普通 MOS 工艺已不能满足大规模与超大规模集成系统制造的需要,于就是早在 1963 年开 发出的硅 CMOS 集成工艺终于有了广泛应用的机会。虽然CMOS 工艺比NMOS 工艺 复杂,早期的CMOS器件性能也较差,但CMOS器件的功耗极低,集成度也高,用以制 造数字 LSI 与 VLSI 集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题,因而在数字 LSI 与 VLSI 集成电路的制造中首先得到广泛应用,并得到快速发展,特别就是自 20 世纪 80 年代以来,更成为 CPU、RAM、ROM 等VLSI 的主导制造工艺,并替代了NMOS 工艺。 3 、CMOS 基本的制备工艺过程 CMOS 集成电路的制备工艺就是一个非常复杂而又精密的过程,它由若干单 项制备工艺组合而成。 3 、1 衬底材料的制备 任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。制备单晶硅有两种方法: 悬浮区熔法与直拉法。 CMOS 集成电路制造工艺流程 4、主要工艺技术 ○1热氧化;○2扩散,掺杂(热扩散掺杂,离子注入掺杂); 5、光刻 光刻就是集成电路制造过程中复杂与关键的工艺之一。光刻的主要工艺步骤 包括