光电子器件 (第3版) 课件 第9、10章 热释电探测器和成像器件、 紫外探测与成像器件.ppt

由于p-i-n结构对(Al)GaN材料质量的高要求以及与p-(Al)GaN欧姆接触的制备困难，肖特基势垒结构的紫外探测器引起人们的极大关注。 10.7.2 金属/GaN肖特基势垒结构 一般地，n－GaN与多种金属如Au、Pd、Pt、Ni等接触可形成肖特基势垒（SB），其典型势垒结构如图。 n+-GaN（n=3×1018cm-3）是为了良好的欧姆接触， n-GaN层(n＝3×1016－1×1017cm-3)是激活层。 高可靠的金属—半导体接触(起欧姆接触和肖特基势垒作用)是肖特基器件制备中的关键工艺和重要组成部分，对器件性能有重要影响。 与GaN欧姆接触的金属一般常选用Ti／Al、Ti／Al／Au或Ti／Al／Pt／Au等，在电子束蒸发后用热退火炉在N2气氛中合金退火，可获得低至10－6量级的接触电阻率。 而肖特基接触金属一般比较薄（5－80nm)，以形成半透明的光敏面，提高器件响应率。 金属／GaN肖特基势垒光探测器中，GaN层的吸收系数较大，器件效率主要受限于肖特基接触层的透过率，半透明的金属层吸收系数小、反射系数大，并且表面粗糙，这降低了器件的量子效率。 10.7.3 ITO／n-GaN肖特基势垒结构 ITO（锡掺杂氧化铟）是一种重简并宽带隙(3.5~4.3eV)n型半导体，具有很高的载流子浓度(1×1020 cm-3---1×1021cm-3)和较低的电阻率(10-4Ω.cm)，在可见光范围有很高的光透射比(85%)，有类似金属的导电性质，因此，在发光二极管，太阳能电池、液晶显示等光电器件中得到广泛应用。 ITO薄膜在波长小于400nm时吸收较小，使得ITO可以在GaN层上用作低紫外吸收的肖特基接触材料。与金属／GaN肖特基势垒器件相比，ITO／n-GaN可见光盲的肖特基势垒器件展现了良好的特性。 其光谱量子效率和响应率曲线如图所示。在ITO／n-GaN 324nm肖特基势垒结构有47％的峰值量子效率。 在350nm有0.13A/W的峰值响应率，其UV/可见光对比度超过3个数量级。 Au/n-GaN和ITO／n-GaN肖特基势垒器件的 光谱量子效率和响应率曲线 10.7.4 金属－半导体—金属(MSM)紫外探测器 MSM紫外探测器以其制造简单和易于单片集成，成为紫外探测应用中吸引人的一种选择。 典型的MSM器件结构,在兰宝石衬底上用MOCVD生长AlN缓冲层、GaN基半导体光激活层，在激活层上沉积指栅状电极并形成肖特基接触。 为钝化表面悬挂键有效减少泄露电流，降低光反射损失以提高量子效率，外延生长GaN基激活层需要经过HF酸浸洗，用PECVD（等离子体化学气相沉积）沉积钝化、减反SiO2层。 金属-半导体-金属光电探测器本质上是一个背对背串连的两支金属-半导体接触二极管。 均匀掺杂半导体的两面各形成金属-半导体接触，电极距离为L。外加偏压为零时的平衡能带图，其中Φn1=Φn2 ,VD1=VD2 , 耗尽层宽度W1=W2。 当外加偏压时，一个结为正偏置，另一个结为反偏置。当外加电压时（如右方为高，左方为低），这一对背对背的二极管中，1结（左边）为反偏置，2结（右边）为正偏置，其耗尽层宽度W1和W2不等。 随着外加电压的增加，反偏置的耗尽层宽度W1增大，而正偏置的耗尽层W2减小，但是其总的耗尽层宽度逐渐增加。使两耗尽层相接触时，相应的这一电压称为“穿通电压，VRT”。这时电场和能带图如图所示，W1+W2=L，在X0点电场E为0，其左方电场为负方向，右方电场为正方向，这时仅有很小电流。 当电压继续增加时，使正电极一边X=L处的能带为平带，电场为0。整个器件内全部耗尽，而且电场指向同一个方向，从右向左。相应的电压称为“平带电压，VFB”，其电场分布和能带图如图10-21所示。 当电压超过VFB时，能带进一步变陡，内部电场增加，直到在反偏的电极处电场最大点发生雪崩击穿，使电流激增。图10-22绘出了这一情况的电场分布和能带图。所以通常器件工作在平带电压VFB与击穿电压VFB之间。 GaN和AlGaN的MSM紫外光探测器，已经证实具有很低的暗电流、速度快、噪声低和较高可见光截止，图10-23给出了AlGaN MSM器件的暗电流。器件显示出在10V、40V偏压条件下，暗电流分别为72pA和0.15μA， Al0.3Ga0.7N MSM器件的暗电流 在100V偏压下， Al0.15Ga0.85N的MSM光响应和量子效率饱和，器件展现出高的可见光截止，紫外／可见光截止因不同偏压可达103、104数量级。在28V偏压下，GaN探测器的NEP*低于17pW／Hz1/2，AlGaN光电二极管NEP*达24pW/Hz1/2。 Al0.15Ga0.85N MSM器件的光谱响应曲线 美