硅中代位碳含量的红外吸收测试方法.docVIP

GB/T 1558—XXXX GB/T 1558—XXXX PAGE 4 PAGE 3 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 范围 本文件规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测定，测试范围为室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度，低于80K时检测下限为5×1014 at·cm -3 (0.01 ppma)。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T 8322 分子吸收光谱法 术语 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 术语和定义 GB/T 14264和GB/T 8322界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 背景光谱 background spectrum 在红外光谱仪中，无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线，通常包括氮气，空气等信息。 3.2 基线 baseline 从测量图谱中碳峰的两侧最小吸光度处作出的一条切线，用来计算吸收系数?，确定最小吸光度方法如附录A所示。 3.3 基线吸收baseline absorbance 与计算吸收峰高度的碳峰相对应波数处的基线值，确定碳吸收峰方法如附录A所示。 3.4 傅里叶变换红外光谱仪 Fourier transform infrared(FTIR) spectrometer 通过傅里叶变换将由干涉仪获得的干涉图转换为振幅-波数（或波长）光谱图来获取数据的红外光谱仪。 3.5 半高宽 full width at half maximum (FWHM) 半峰高处的吸收带宽度，其确定方法详见附录A。 3.6 参比光谱 reference spectrum 参比样品的光谱。对于双光束仪器，参比光谱是直接将参比样品放置于样品光路和参比光路为空一起获得的，对于傅里叶变换红外光谱仪及其它单光束仪器，参比光谱是将参比样品的光谱扣除背景光谱后所得到的结果。 3.7 样品光谱 sample spectrum 测试样品所得到的光谱。对于双光束仪器，样品光谱是直接将样品放置于样品光路和参比光路为空一起获得的，对于傅里叶变换红外光谱仪及其它单光束仪器，样品光谱是将样品的光谱扣除背景光谱后所得到的结果。 方法原理 本测试方法利用室温下硅中代位碳原子在波数为607.2cm-1（16.47?m）处红外吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度。低于室温检测限的碳含量用低温测试，具体测试方法见GB/T 35306。 干扰因素 5.1投射到探测器上的杂散光会降低吸收系数的计算值，从而降低碳原子浓度的测量值。 5.2因为碳含量的标定因子是温度的函数，硅晶格吸收谱带也会随着测试温度改变而变化。测试样品和参比样品应尽可能地保持相同的温度，以降低温度对晶格吸收带峰强度产生的影响。 5.3 室温测试参比样品的碳含量应小于1×1015 at·cm -3（0.02 ppma）,使参比样品造成的误差低于本方法最低检测限的10%。 5.4为得到令人满意的测试结果，室温下碳吸收带的半高宽（FWHM）必须小于6cm-1。而在低温下，这一数值必须小于3cm-1。样品厚度不合适，以及仪器分辨率设置过低都有可能造成半高宽变宽。 5.5样品尺寸小于仪器测量光路的光圈直径会产生误差。可以缩小光圈或者采用合适的聚光器消除因样品尺寸小于仪器测量光路的光圈直径而产生的误差。 5.6硅中双声子晶格吸收在625cm-1（16μm）非常强，用差示法消除该处的晶格吸收带，才能在室温下测出碳的吸收光谱。 5.7本方法的最低检测下限取决于仪器的信噪比。因此，为获得最高的测试灵敏度，必须增加样品的扫描时间。 5.8方法不适应于多晶硅样品，多晶硅样品需要按照GB/T29057切取和制样。 5.9对于精度要求不高的硅单晶，可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅单晶中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。 5.10 测试样品和参比样品之间的厚度差应尽可能小，以避免硅晶格吸收对测试的影响。 试验条件 6.1 环境温度为25℃?3℃。 6.2 相对湿度小于60%。 6.3 测试实验室应无机械冲击、振动和电磁干扰。 仪器设备 7.1 傅里叶变换红外光谱仪 室温下光谱仪的分辨率应为小于或者等于4c