第1章半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD.pptVIP

*/117 (2) 迁移率退化模型 描述迁移率与掺杂行为有关的模型 Masetti模型、Arora模型和University of Bologna模型 描述界面位置处载流子迁移率的退化模型 Lombardi模型、University of Bologna模型 描述载流子-载流子散射的模型 Conwell–Weisskopf模型、Brooks–Herring模型 描述高内电场条件下的载流子迁移率的退化模型 Canali模型，转移电子模型，基本模型，Meinerzhagen–Engl模型，Lucent模型，速率饱和模型和驱动力模型等 * 浙大微电子 第六十三页，共一百一十八页。 */117 (3) 基于活化能变化的电离模型 常温条件下，浅能级杂质被认为是完全电离的。然而， 对于深能级杂质而言（能级深度超过0.026eV），则会出现 不完全电离的情况。因此，铟（受主杂质）在硅中，氮（施 主）和铝（受主）在碳化硅中，都呈现深能级状态。另外， 若要研究低温条件下的掺杂行为，则会有更多的掺杂剂出于 不完全电离状态。针对这种研究需求，Sentaurus Device 嵌入了基于活化能变化的电离模型。 * 浙大微电子 第六十四页，共一百一十八页。 */117 (4) 热载流子注入模型 热载流子注入模型是用于描述栅漏电