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二、基极驱动电路基本形式 （一）恒流驱动电路： 基极电流恒定，不随IC电流变化而变化。 IB ICmax / β 问题:空载、轻载时，饱和深度加剧，存储时间大，关断时间长。 改进：1．抗饱和电路（贝克嵌位电路） VD2存在，使GTR导通时b-c结处于零偏或轻微正偏，基极多余电流由VD2从集电极流出，管子处于准饱和状态。VCES=VBE+VD1－VD2=VBE VD1、VD2抗饱和二极管；根据不同情况调整VD1数量，控制VCES大小。 VD2应选快速二极管，耐压与GTR一致，电流 IB′ VD1、VD3为普通二极管，VD1反向恢复有助于GTR关断。 缺点：导通损耗增大。 第三十页，共五十二页，2022年，8月28日 ２．截止反偏驱动电路 目的：关断时加反偏驱动，迅速抽出基区过剩载流子，减 小存储时间，加速GTR关断。 ①单极性脉冲变压器驱动电路 VA VB 缺点：变压器单边工作，有直流磁化现象，铁心体积大。 反偏电压大小随导通时间变化。 t t VA 0 0 VB W3回馈能量 第三十一页，共五十二页，2022年，8月28日 ②电容储能式驱动电路 工作原理： Vi高电平，*端为正，W2经GTR的B-E结、C、VD2使GTR导通，V截止，电容C充电。 Vi低电平，*端为负， VD2截止，W2经还在导通的B-E结、R2、V发射结、C使V迅速饱和导通，电容C上电压反加于GTR的B-E结，GTR迅速截止。 下一次导通前，C上电压经VD1、R1、R2、 V发射结放电完毕。 第三十二页，共五十二页，2022年，8月28日 ③固定反偏互补驱动电路 第三十三页，共五十二页，2022年，8月28日 （二）比例驱动电路 使GTR基极电流正比于集电极电流变化，在不同负载时，管子饱和深度基本相同，而且轻载时，驱动功率大大减小。 1．反激式比例驱动电路 特点：靠正反馈加速GTR开通，当工作频率较高时，分布参数影响使开通速度变慢。 第三十四页，共五十二页，2022年，8月28日 2．具有强制开通、强制关断的比例驱动电路 特点：电路复杂。 第三十五页，共五十二页，2022年，8月28日 三、过电流检测与保护 GTR运行时，过流检测能保证管子正常工作。要求检测电路灵敏度高，响应快。 （一）状态识别法 GTR过载或短路时，集电极电流急剧变化，引起基极电压VBE，集电极电压VCE相应变化。 第三十六页，共五十二页，2022年，8月28日 管子开通时，电流上升越快，VBE变化越大。如GTR短路时开通，监测VBE变化，确认故障快。但导通后，较轻过载时，监测VBE灵敏度低。 但VCE电压监测适合过载电流保护，但不适合短路电流保护，二者结合，效果较好。 VBE识别电路 VCE识别电路 存在问题：保护电路存在盲区，等GTR开通后，保护电路 才能使用。 第三十七页，共五十二页，2022年，8月28日 电力电子半导体器件GTR 第一页，共五十二页，2022年，8月28日 §4.1 GTR结构 双极型大功率、高反压晶体管——GTR （巨型晶体管） Giant Transistor 三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。 一、工艺特点 三重扩散；叉指型基极和发射极； 特点：发射区高浓度掺杂 基区很薄（几um—几十um） N-掺杂浓度低，提高耐压能力 N+集电区收集电子 使用时要求：发射结正偏，集电结反偏。 第二页，共五十二页，2022年，8月28日 二、GTR与普通晶体管区别 1.普通晶体管：信号晶体管，用于放大信号； 要求增益适当，fT高，噪声系数低，线性度好，温度漂移 和时间漂移小。工作于放大区，以载流子运动为出发点， 分析载流子扩散、漂移、复合现象。电流控制特性为线性 关系。 2.GTR：用于功率开关； 要求容量足够大，高电压，大电流，适当增益，较高工作 速度，较低功率损耗。 3.大电流工作下，普通晶体管出现的新特点： ①基区大注入效应：引起电流增益下降。 ②基区扩展效应：使基区注入效率降低，增益β下降，fT减小。 ③发射极电流集边效应：引起电流局部集中，产生局部过热。 因此，GTR在结构上应采取适当措施，减小上述效应。 第三页，共五十二页，2022年，8月28日 三、单管GTR 采用三重扩散，台面型结构；可靠性高，对二次击穿特性有改善，易于提高耐压，易于耗散